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Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD
  • Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD
  • Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD

Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD

Luogo di origine La Cina
Marca zmkj
Numero di modello InP-2inch
Dettagli del prodotto
Materiali:
Monocristallo del InP
industria:
substrati a semiconduttore, dispositivo,
colore:
Black
Tipo:
N tipo, P tipo
Dimensioni:
2inch
Spessore:
350um
Evidenziare: 

substrato del MgO

,

Wafer di Gap

Descrizione di prodotto

2inch wafer a cristallo fittizio P tipo N tipo dei substrati del InP del fosfuro di indio del grado del grado primario di spessore 350um per il LD

 

Il materiale del monocristallo del fosfuro di indio è uno della maggior parte del composto importante a semiconduttore, che è materia prima chiave per il diodo laser del substrato del fosfuro di indio (LD), diodo luminescente (LED), rivelatore fotoelettrico nella produzione delle comunicazioni ottiche. Quelle parti giocano le informazioni che lanciano, trasmettere, amplificante, funzione di ricezione.

Il fosfuro di indio è ideale per i dispositivi ad alta frequenza, come HEMT, HBT ecc. A causa della sua grande proprietà, è ampiamente usato nella comunicazione a fibra ottica, la microonda, onda millietric, antiradiaziona delle pile solari, il transistor di heterojunction, l'altra simile tecnologia avanzata ecc. I metodi di produzione principali materiale cryatal del fosfuro di indio di singolo includono LEC, LEC migliore, VCZ/PC-LEC, VGF, VB ecc.

Specificazione

Oggetto Diametro Tipo concentrazione di trasporto Mobilità Resistività MPD
S-InP 2     N      (0.8-6) X10^18 (1.5-3.5) x10^3   <500
3 <500
4 <1x10^3
Fe-InP 2/3/4     SI     >1000 >0.5x10^7 >5x10^3
Zn-InP 2/3/4     P     (0.6-6) X10^18      50-70   <1x10^3
Nessun InP dello stimolante 2     N    <3x10^16 (3.5-4) x10^3   <5x10^3
  Altro
Orientamento (100)/(111) ±0.5° Planarità
TTV Arco Filo di ordito
<12um <12um ≤15um
primo del piano 16±2mm 22±2mm 32.5±2.5mm
2st del piano 8±1mm 11±2mm 32.5±2.5mm
Superficie: 1sp o 2sp, 2inch 350±25um, 3inch 600±25um, 4inch 625±25um, o tramite su misura
 
  La maggior parte della nostra produzione si compone dei wafer premio del grado. Tuttavia, in ogni boule, alcuni wafer del grado della prova sono disponibili. I wafer della prova hanno la stesse prestazione elettrica e specificazione geometrica che i wafer premio ma con un piccolo danno locale:
- un difetto superficiale come un graffio o un pozzo o una macchia dalla facciata frontale,
- un'imperfezione cristallina come alto EPD o lamelle gemellate. L'ultimo si compone di 2 linee parallele <110> nella direzione. Fra queste 2 linee, l'orientamento non è (100) contrario all'intero wafer; la distanza fra le 2 linee è molto piccola (< 1mm=""> più di 95% della superficie di tutto è la qualità super che le rende utili per i funzionamenti di calibratura. Il tipo di difetto è indicato su un'etichetta per ogni wafer.
 

 

campione 

Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD 0

 

FAQ

Perché scelgaci ZMKJ.?

  1. 5 anni di esperienza in wafer dei semi & l'ottica sistemano;
  2. Linea di produzione professionale dell'officina nella nostra fabbrica;
  3. Ottica specializzata e conoscenza trattata dei wafer;
  4. Livello di controllo di alta qualità;
  5. Piccolo ordine accettabile;
  6. Prodotti su misura come richiesto;
  7. Esperienza per cooperazione per l'altra società del paese.

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Termine di consegna: 10-25 giorni

Termine di trasporto: Fabbrica di Exw, CATENA DELL'OROLOGIO Shanghai

Termine di consegna: Aereo da trasporto/di servizio espresso

Termine di pagamento: T/T 100% in anticipo, o deposito su ordinazione

 

Imballaggio & spedire

Poichè le ottica principalmente sono di piccola dimensione, consegna che preferiamo usare preciso.

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