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Substrati a semiconduttore dei wafer del Inp dei monocristalli del germanio

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2inch Un-aereo singolo Crystal Sapphire Wafer Substrates Al 2O3 monocristallino

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N-GaAs Substrato VCSEL Epiwafer 6 pollici Gallium Arsenide Wafer 2 pollici <100> <110> Per dispositivi optoelettronici

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Forno di ricottura veloce a semiconduttore a doppia cavità automatico compatibile con apparecchiature per il trattamento termico di wafer da 6 pollici a 8 pollici a 12 pollici 200-1300 °C

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N - Scriva a wafer GaAs dell'arsenuro di gallio i substrati a macchina 2 del monocristallo - a 6 pollici

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Ge Lens Semiconductor Substrates INP Indium Gallium Phosphide Wafer

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Wafer a 4 pollici dell'arsenuro di gallio, substrato di Gaas per le leghe di bassa temperatura

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Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero

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