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ossido di zinco del wafer dell'arsenuro di gallio di spessore di 0.5mm Crystal Substrate

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ossido di zinco del wafer dell'arsenuro di gallio di spessore di 0.5mm Crystal Substrate

0.5mm Thickness Gallium Arsenide Wafer Zinc Oxide Crystal Substrate
0.5mm Thickness Gallium Arsenide Wafer Zinc Oxide Crystal Substrate 0.5mm Thickness Gallium Arsenide Wafer Zinc Oxide Crystal Substrate

Grande immagine :  ossido di zinco del wafer dell'arsenuro di gallio di spessore di 0.5mm Crystal Substrate

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: zmsh
Certificazione: no
Numero di modello: ZNO
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 5cs
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: Film dell'ANIMALE DOMESTICO nella stanza di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna: 1-4weeks
Capacità di alimentazione: 500PCS/Month
Descrizione di prodotto dettagliata
Materiale: Substrati di monocristallo di ZnO Industria: wafer di semicondutor
Applicazione: il substrato a semiconduttore, ha condotto il chip, la finestra di vetro ottica, substrati del dispo Metodo: vFG
Dimensione: 5x5mm Spessore: 0.5mm
Evidenziare:

ZnO singolo Crystal Substrate

,

wafer dell'arsenuro di gallio di 0.5mm

,

Wafer Crystal Substrate dell'arsenuro di gallio

Substrati di ZnO, piccolo wafer quadrato dell'ossido di zinco di 5X5mm, substrati negli orientamenti differenti, monocristallo di 5x5mm ZnO di ZnO.

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L'ossido di zinco (ZnO) può svilupparsi come semiconduttore di monocristallo con le proprietà molto interessanti.

Il bandgap è nella gamma di 3,4 eV che lo rende attraente per molte delle applicazioni blu e viola

in optoelettronica come pure dispositivi UV. È disponibile all'ingrosso, in wafer di fino a 2 pollici,

quale gli dà un vantaggio importante sopra il nitruro di gallio ed altri nitruri del gruppo III.
ZnO inoltre ha il potenziale di trasformarsi nel materiale del substrato della scelta per GaN. Come GaN ha una struttura di solfuro di zinco, con le costanti della grata abbinate molto attentamente a GaN (a=3.249, c=5.205). ZnO è esattamente

la grata ha abbinato a InGaN con un 22% nel contenuto. Forse per di più è un materiale compiacente molle

quello è creduto a probabilmente e può prendere lo sforzo della grata di preferenza allo strato crescente di GaN.

Soffre dallo svantaggio che dissocia in ammoniaca alle temperature sopra 600°C. Con il suo ampio bandgap, l'ossido di zinco ha potuto risultare molto utile nelle applicazioni ottiche come pure molto elettronica ad alta velocità.

ZnO può anche essere usato come substrato per la crescita epitassiale.

Applicazione:

Descrizione di cristallo del substrateProduct dell'ossido di zinco (ZnO): Il substrato di cristallo dell'ossido di zinco (ZnO) è ampiamente usato dentro

Substrato epitassiale di GaN (LED blu), dispositivi di collegamento della vasta banda ed altri campi. Parametri tecnici

ossido di zinco del wafer dell'arsenuro di gallio di spessore di 0.5mm Crystal Substrate 0

Proprietà generali

Purezza WT % > 99,99
Impurità: WT % Mg: <>
  Fe: < 0="">
Crystal Structure Esagonale: å del a= 3,252, c = å 5,207
Metodo di crescita Idrotermale
Durezza una scala di 4 moh
Densità 5,7 g/cm3
Punto della colata Oc 1975
Calore specifico 0,125 cal/gm
Costante termoelettrica 1200 sistemi MV /oK @ 300 Oc
Conducibilità termica 0,006 approvazioni di cal/cm/
Espansione termica 2,90 x 10-6/oK
Gamma di trasmissione 0.4 - 0,6 m. > 50% a 2 millimetri
Densità di dislocazione <0001> aereo <100>2

Specifiche per il wafer

Orientamento <11-20>± 0,5o o orientamento su ordinazione
Superficie lucidata EPI ha lucidato da un lato, Ra < 5="">
Dimensione standard 5 x 5 millimetri
Spessore 0,5 millimetri

ossido di zinco del wafer dell'arsenuro di gallio di spessore di 0.5mm Crystal Substrate 1ossido di zinco del wafer dell'arsenuro di gallio di spessore di 0.5mm Crystal Substrate 2

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Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.

Imballaggio – Logistcs
Le preoccupazioni di Worldhawk ciascuno dettaglia del pacchetto, la pulizia, antistatica, trattamento d'urto.

Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente!

ossido di zinco del wafer dell'arsenuro di gallio di spessore di 0.5mm Crystal Substrate 3

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