Evidenziare:
ZnO singolo Crystal Substrate
, wafer dell'arsenuro di gallio di 0.5mm
, Wafer Crystal Substrate dell'arsenuro di gallio
ossido di zinco del wafer dell'arsenuro di gallio di spessore di 0.5mm Crystal Substrate
Substrati di ZnO, piccolo wafer quadrato dell'ossido di zinco di 5X5mm, substrati negli orientamenti differenti, monocristallo di 5x5mm ZnO di ZnO.
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L'ossido di zinco (ZnO) può svilupparsi come semiconduttore di monocristallo con le proprietà molto interessanti.
Il bandgap è nella gamma di 3,4 eV che lo rende attraente per molte delle applicazioni blu e viola
in optoelettronica come pure dispositivi UV. È disponibile all'ingrosso, in wafer di fino a 2 pollici,
quale gli dà un vantaggio importante sopra il nitruro di gallio ed altri nitruri del gruppo III.
ZnO inoltre ha il potenziale di trasformarsi nel materiale del substrato della scelta per GaN. Come GaN ha una struttura di solfuro di zinco, con le costanti della grata abbinate molto attentamente a GaN (a=3.249, c=5.205). ZnO è esattamente
la grata ha abbinato a InGaN con un 22% nel contenuto. Forse per di più è un materiale compiacente molle
quello è creduto a probabilmente e può prendere lo sforzo della grata di preferenza allo strato crescente di GaN.
Soffre dallo svantaggio che dissocia in ammoniaca alle temperature sopra 600°C. Con il suo ampio bandgap, l'ossido di zinco ha potuto risultare molto utile nelle applicazioni ottiche come pure molto elettronica ad alta velocità.
ZnO può anche essere usato come substrato per la crescita epitassiale.
Applicazione:
Descrizione di cristallo del substrateProduct dell'ossido di zinco (ZnO): Il substrato di cristallo dell'ossido di zinco (ZnO) è ampiamente usato dentro
Substrato epitassiale di GaN (LED blu), dispositivi di collegamento della vasta banda ed altri campi. Parametri tecnici
Proprietà generali
| Purezza WT % |
> 99,99 |
| Impurità: WT % |
Mg: <>
|
| |
Fe: < 0="">
|
| Crystal Structure |
Esagonale: å del a= 3,252, c = å 5,207 |
| Metodo di crescita |
Idrotermale |
| Durezza |
una scala di 4 moh |
| Densità |
5,7 g/cm3 |
| Punto della colata |
Oc 1975 |
| Calore specifico |
0,125 cal/gm |
| Costante termoelettrica |
1200 sistemi MV /oK @ 300 Oc |
| Conducibilità termica |
0,006 approvazioni di cal/cm/ |
| Espansione termica |
2,90 x 10-6/oK |
| Gamma di trasmissione |
0.4 - 0,6 m. > 50% a 2 millimetri |
| Densità di dislocazione |
<0001> aereo <100>2
|
Specifiche per il wafer
| Orientamento |
<11-20>± 0,5o o orientamento su ordinazione |
| Superficie lucidata |
EPI ha lucidato da un lato, Ra < 5="">
|
| Dimensione standard |
5 x 5 millimetri |
| Spessore |
0,5 millimetri |
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