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Buon prezzo Il si ha verniciato il tipo Undoped dei substrati 2inch N dell'arsenuro di gallio del wafer di GaAs in linea
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Wafer 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H-SiCOI Substrati compositi SiC su isolante

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Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

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vassoio del wafer del contenitore di PE/pp di 2inch Sapphire Wafer Single Packaging singolo

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2 pollici MgO Spessore della wafer 500um Orientazione<100> Cristallo di ossido di magnesio Cristallo personalizzato

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Wafer di zaffiro 4" Dia 100mm ±0.1mm Spessore 650um Piano C lucidatura personalizzata

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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

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Wafer del cristallo piezoelettrico LiTaO3 LiNbO3, wafer nero di LT And LN per la sega

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Diametro a 4 pollici 100 wafer LiTaO3 LiNbO3 Crystal Structure esagonale del Tantalate del litio di millimetro

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diametro a 2 pollici 50.8mm del wafer di cristallo di InAs del wafer dell'arseniuro dell'indio di spessore 500um

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2 pollici Sapphire Substrate Wafer Alta purezza Al2O3 99,999% DSP Diametro 50,8 mm

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Wafer LiTaO3 singolo Crystal Materials del Tantalate del litio di 6INCH verniciati Fe+ lINbO3

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Il doppio lato ha lucidato i chip di cristallo del substrato del wafer 1sp 2sp 10X10mm GGG di Semicondutor

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