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Campane di vetro al quarzo personalizzate con opzioni di rivestimento per generatori di plasma per semiconduttori
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Substrato di Zaffiro Quadrato Ultra-Grande 310 × 310 × 1 mm per Applicazioni Semiconduttori e Aerospaziali
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8inch diametro 159mm singolo Crystal Sapphire Wafer For Epi - trasportatore pronto
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tipo del grado N di produzione del substrato del carburo di silicio del wafer di 8inch DSP 4H sic per l'esperimento
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singolo di 4inch Sapphire Wafer C/doppio monocristallo lucidato lato piano Al2O3
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Portatore di diffusione di wafer riutilizzabile di vetro di silice fuso a cristallo di quarzo trasparente
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Effettore finale in SiC ad alta purezza per la movimentazione di wafer - Forcella resistente alla corrosione e al calore per la lavorazione dei semiconduttori
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Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD
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Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic
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Polisiliconico a 8 pollici nero dei lingotti del silicio della lastra di silicio di IC per il processo a semiconduttore
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L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic
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Il wafer del fosfuro di indio dei monocristalli del germanio ha personalizzato la lente ottica 4/a 6 pollici di GE