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Ge Lens Semiconductor Substrates INP Indium Gallium Phosphide Wafer

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N-GaAs Substrato VCSEL Epiwafer 6 pollici Gallium Arsenide Wafer 2 pollici <100> <110> Per dispositivi optoelettronici

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Wafer SiC di tipo 6H-N: substrato da 2 pollici, spessore 350μm o 650μm

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