Substrato di Zaffiro Quadrato Ultra-Grande 310 × 310 × 1 mm per Applicazioni Semiconduttori e Aerospaziali

Substrato di zaffiro quadrato ultra-grande 310 × 310 × 1 mm per semiconduttori e applicazioni aerospaziali

Visualizzazione del prodotto

Il substrato di zaffiro quadrato ultra-grande di 310 × 310 × 1 mm rappresenta il limite superiore dell'attuale crescita dei cristalli di zaffiro sintetici e della tecnologia di lavorazione di precisione su grande area.99% di ossido di alluminio monocristallino di alta purezza (Al2O3), questa piastra di zaffiro offre un'eccezionale piattezza, stabilità termica, resistenza chimica e resistenza meccanica su una vasta superficie.

A differenza dei wafer di zaffiro rotondo standard progettati per la produzione diretta di semiconduttori, questo prodotto è principalmente progettato come substrato portante, piastra di base o pannello di zaffiro di grande area.È ampiamente utilizzato nella lavorazione epitaxiale del GaN, ambienti di semiconduttori ad alta temperatura, sistemi ottici avanzati e applicazioni aerospaziali in cui la stabilità dimensionale e la durata sono fondamentali.

Principali applicazioni

• Altri, di materie plastiche

  • Epitassi di GaN sul zaffiro (MOCVD)

  • Manipolazione di processi ad alta temperatura

• Fenestre ottiche di grande area e porti di visualizzazione

• Finestre di osservazione aerospaziale e a vuoto

• Piastre di base per sistemi laser

• Substrati di legame di precisione

• Piattaforme di zaffiro su misura per l'industria e la ricerca

Specifiche tecniche

Principali vantaggi

Capacità di formato ultra-grande

Mantiene un'eccellente piattezza e uniformità dello spessore alla scala di 310 mm, consentendo prestazioni affidabili in applicazioni su grandi superfici.

Durabilità meccanica eccezionale

Con una durezza di Mohs di 9, la superficie dello zaffiro resiste a graffi e usura durante la manipolazione e la lavorazione a carico elevato.

Stabilità termica superiore

Progettati per resistere a ripetuti cicli ad alta temperatura comunemente riscontrati nella MOCVD e in altri processi di crescita epitaxiale.

Qualità della superficie di grado ottico

La lucidatura a doppio lato consente di ottenere una rugosità superficiale inferiore al nanometro, rendendo la piastra ideale per finestre ottiche e applicazioni di legame ad alta resistenza.

Straordinaria resistenza chimica

Offre una durata significativamente superiore rispetto al quarzo fuso o al vetro in ambienti di processo corrosivi e duri.

Fabbricazione e controllo qualità

• Crescita su larga scala di sfere di zaffiro

• Taglio di precisione e lavorazione per la riduzione delle tensioni

• Polizione a doppio lato (DSP)

• Ispezione interferometrica della piattezza su tutta la superficie

• Ispezione visiva e dimensionale al 100% prima della spedizione

Domande frequenti

D1: Questo prodotto è un wafer standard di zaffiro?
No, questo prodotto è classificato come un substrato o una piastra portante di zaffiro ultra-grande, non un wafer semiconduttore standard.

D2: è possibile produrre dimensioni superiori a 310 mm?
La nostra capacità attuale per i substrati quadrati di zaffiro varia da 250 mm a 310 mm per lato, a seconda dell'orientamento e dello spessore.

D3: È adatto per la crescita epitaxiale del GaN?
Questo substrato di zaffiro è ampiamente utilizzato come piastra portante per i processi epitaxiali GaN-su-zaffiro, specialmente nei sistemi MOCVD ad alto throughput.

D4: Come si garantisce la piattazza su una superficie così ampia?
Utilizziamo apparecchiature di lucidatura a doppio lato di grande formato e verifichiamo ogni piastra con interferometria laser per garantire una piattazza λ/10 a 633 nm.

Q5: Come viene confezionato il substrato per la spedizione?
Ogni piastra è confezionata in una confezione ad aspirazione ad alta pulizia e ad assorbimento degli urti, progettata per evitare danni durante il trasporto internazionale.