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grado di produzione del wafer di 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate per i dispositivi di radiofrequenza
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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado
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Wafer del carburo di silicio di SIC del substrato a semiconduttore di 4H-N 8inch per fotovoltaico solare
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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser
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12 pollici di diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Carburo di silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conduttivo solare fotovoltaico
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Wafer SiC di tipo 6H-N: substrato da 2 pollici, spessore 350μm o 650μm
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tipo grado di 2inch 3inch Dia100m 4H-N di produzione del wafer del carburo di silicio per il dispositivo a semiconduttore
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Di 4 H-N Production Grade Dummy del grado wafer 8inch Dia200mm del substrato sic
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resistività 0.015-0.028ohm del substrato di 10x10mm 5x5mm sic. Il cm o >1E7ohm.Cm sic scheggia
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Wafer di carburo di silicio 4 pollici di diametro x 350um 4H-N tipo P/R/D grado MOSEFTs/SBD/JBS
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Lente su misura incolore trasparente di HPSI 4H-SEMI SIC
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Il forno per la coltivazione di ingotti SiC utilizza PVT, Lely TSSG e metodi LPE per coltivare cristalli di grandi dimensioni di 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici