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Buon prezzo 6 pollici di carburo di silicio semi-isolatore di SiC composto di substrato tipo P tipo N tipo single polish double polish grado di produzione In linea
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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

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Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio

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2/4/6/8 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H 6H 3C Tipo di supporto personalizzare industria dei semiconduttori Dimensioni multiple

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Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

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Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura

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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

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