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2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic

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Substrato in carburo di silicio 4H per elettronica di potenza, dispositivi RF e optoelettronica UV

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Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N

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Il manichino a 4 pollici del substrato del nitruro di silicio 4H-N sic classifica sic il substrato per i dispositivi di alto potere

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2 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Spessore 350um 500um Wafer SiC Prime Grade Dummy Grade

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4H-P Carburo di silicio SIC Substrato 4 pollici SIC Wafer 6H-P Per deposizione di nitruri III-V

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6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici

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6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Diametro 150 mm Spessore 350 μm Zero MPD Produzione, grado di produzione standard

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