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[silicon carbide substrate ]

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Area termica della gestione di GaN Diamond Heat Sink Wafers For di metodo di MPCVD

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HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade

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GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED

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Sic 3C-N Tipo Dimensione Meccanica Tipo conduttore per sistemi radar Grado di produzione MPD zero

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Finestre ottiche quadrate personalizzate Verde Moissanite Cristallo SiC Alta durezza

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Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

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4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

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Segatronchi Multifunzione Multi-Filo per il Taglio di Materiali in Zaffiro/Silicio/Quarzo

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12 pollici wafer zaffiro substrato zaffiro Al2O3 wafer 9.0Mohs trasparente SSP DSP asse C

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