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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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Wafer LNOI a pellicola sottile di niobato di litio da 3 / 4 / 6 / 8 pollici con perdita ottica < 0,05 DB / cm

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Taglierina a filo diamantato / Multi-filo / Ad alta velocità / Alta precisione / Discendente / Oscillante

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Wafer di semi di SiC 6 pollici 8 pollici 4H-N Tipo di produzione di qualità di qualità per la crescita di Wafer di SiC

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Macchina di taglio a doppia stazione con filo di diamante singolo / multicilo per la lavorazione di materiale zaffiro / SiC

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Tagliatrice a filo diamantato a filo singolo per materiale SiC/Zaffiro/Quarzo/Ceramica

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Piastra di supporto SiC resistente alle alte temperature/piastra di supporto per portatori di wafer

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comprare Filo diamantato multi-filo ad alta velocità e alta precisione per la lavorazione di materiali duri e fragili Apparecchiature per semiconduttori fabbricazione online

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Taglio con filo diamantato, macchina a filo singolo/multiplo per la lavorazione di wafer semiconduttori

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Apparecchiature laser microfluidiche per la lavorazione di wafer a semiconduttori

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Apparecchiature di rettifica/pulizia a doppio lato ad alta precisione per zaffiro/vetro/quarzo

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