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Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura

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Apparecchiatura di lucidatura monofacciale ad alta precisione per wafer di Si/SiC/materiali di zaffiro

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Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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