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Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

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Placca portante rivestita in SiC ad alta purezza per la movimentazione e il trasferimento delle wafer

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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Wafer LNOI a pellicola sottile di niobato di litio da 3 / 4 / 6 / 8 pollici con perdita ottica < 0,05 DB / cm

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Filo diamantato multi-filo ad alta velocità e alta precisione per la lavorazione di materiali duri e fragili​​ Apparecchiature per semiconduttori

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