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12 pollici Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrato Grande Dimensione Alta Purezza Diametro 300mm Grado del prodotto Per la comunicazione 5G
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Wafer di grado di prova da 6 pollici e 8 pollici per taglio laser
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Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza
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SiC Carburo di silicio vassoi ceramici Plate Wafer Holder ICP processo di incisione per la lavorazione della crescita epitaxial
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4'' 5'' SiO2 Single Crystal IC Chips CZ Metodo 500um 1mm Strato di ossidazione 500nm 2μM
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SiC Ceramic End Effector for Wafer Handling - Corrosion & Heat Resistant for Semiconductor Processing
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Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics
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Forno di ricottura veloce a semiconduttore a doppia cavità automatico compatibile con apparecchiature per il trattamento termico di wafer da 6 pollici a 8 pollici a 12 pollici 200-1300 °C
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Apparecchiature laser a micro getto per l'arrotondamento di wafer a carburo di silicio e il taglio di wafer a base di silicio
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Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro
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Substrati in carburo di silicio semiconduttori ad alta purezza - Soluzioni per wafer multi-diametro (da 2" a 8")
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wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si