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Wafer GaP trasparenti arancioni senza copertura P Tipo N Tipo 200um 350um 5G Emettitore di luce

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GaP Wafer semi-isolati P Tipo N Tipo 400um 500um Verde LED Rosso Emissioni di luce verde

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Wafer nero del fosfuro di indio, wafer a semiconduttore per l'applicazione di LD

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Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD

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Il wafer del fosfuro di indio dei monocristalli del germanio ha personalizzato la lente ottica 4/a 6 pollici di GE

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Materiale eccellente a semiconduttore dei piatti di GE di indio del wafer ottico del fosfuro

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3,58 substrato del cristallo dell'ossido di magnesio del wafer del substrato/MgO del MgO di densità

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Wafer di fosfuro di indio InP Substrati semiconduttori Epitaxial 2'' 3' 4' spessore 350um

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2" S dopato GaP semiconduttore EPI Wafer N Tipo P Tipo 250um 300um Diodi emettitori di luce

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2' 4' InP Wafer Indium Fosfuro Wafer Semiconduttore Substrati 350um 650um

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InAs Wafer Doped Zn 2 Inch Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Spessore 500um <100> Personalizzato

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