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GasSb

Name: GasSb
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: Wafer di Gap
Price: 50,002.00 USD
Availability: InStock

Marchio:	zmkj
Numero di modello:	Wafer di Gap
MOQ:	5pz
prezzo:	by case
Tempo di consegna:	1-4weeks

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

La Cina

Materiali:

Monocristallo di Gap

industria:

substrati a semiconduttore, dispositivo, ottico

Colore:

Giallo

Diametro:

0.5~76.5mm

Superficie:

lucidato/ha avvolto

Spessore:

0,1-2 mm

Imballaggi particolari:

singola cassa del wafer

Capacità di alimentazione:

1000pcs/month

Evidenziare:

substrato del MgO

Wafer di Gap

Descrizione di prodotto

Cristalli a 2-6 pollici substrato di cristallo, wafer del fosfuro del gallio (Gap) di Gap

La latta di ZMKJ fornisce il wafer di Gap del monocristallo di alta qualità (fosfuro del gallio) all'industria elettronica ed optoelettronica di diametro fino ad a 2 pollici. L'a cristallo del fosfuro del gallio (Gap) è un materiale semitraslucido giallo arancio costituito da due elementi, gallio e fosfuri, la crescita con il metodo incapsulato liquido di Czochralski (LEC). Il wafer di Gap è un materiale importante a semiconduttore che hanno proprietà elettriche uniche poichè altri materiali del composto di III-V e sono ampiamente usati come LED rosso, giallo e verde (diodi a emissione luminosa). Abbiamo wafer come tagliato di Gap del monocristallo per la vostra applicazione di LPE ed inoltre forniamo il wafer pronto di Gap del grado di epi per la vostra applicazione epitassiale di MBE & di MOCVD. Contattici prego per più informazioni di prodotto.

Elettrico e verniciando specificazione

Nome di prodotto:

Substrato di cristallo del fosfuro del gallio (Gap)

Parametri tecnici:

Sistema cristallino	Cubico a = 5,4505 Å
Metodo di crescita	Metodo di Czochralski
Densità	4,13 g/cm ³
Mp	^o 1480 C 1
Coefficiente di espansione termica	5,3 x10 ^-6/^O C
Dopant	undoped S-verniciato
Direzione	<111> o <100> <100> o <111>
Tipo	N N
Conducibilità termica	2 ~ 8 x10 ¹⁷/cm ³ 4 ~ 6 x10 ¹⁶/cm ³
Resistività W.cm	0,03 - 0,3
EPD (cm ^-2)	<3x10>5 <3x10>5

Specifiche:

Direzioni cristallografiche: <111>, <100> ± 0,5 ^o

Dimensione lucidata standard: Ø2 «* 0.35mm; Ø2» * 0.43mm. Ø3 " x0.3mm

Nota: secondo i requisiti di cliente con le dimensioni speciali ed i substrati di orientamento

StandardPacking

borsa pulita 1000 stanza pulita, 100 o singolo imballaggio della scatola

Dopant disponibile	S / Zn/Cr/Undoped
Tipo di conducibilità	N / P, semiconduttrice/Semi-isolante
Concentrazione	1E17 - 2E18 cm-3
Mobilità	> 100 cm2/v.s.

Specificazione di prodotto

Crescita	LEC
Diametro	Ø 2"
Spessore	400 um
Orientamento	<100> / <111> / <110> o altri
Fuori dall'orientamento	Fuori da 2° a 10°
Superficie	Un lato lucidato o due lati lucidati
Opzioni piane	EJ o SEMI. Campione.
TTV	<>
EPD	<>
Grado	Epi ha lucidato il grado/grado meccanico
Pacchetto	Singolo contenitore del wafer

Immagini del campione

GasSb 0

FAQ:

Q: Che cosa è il termine di consegna?

A: (1) per i prodotti standard

Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.

Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.

(2) per i prodotti a forma di speciale, la consegna è 4 settimane lavorative dopo che ordinate.

Q: Che cosa è il vostro MOQ?

A: (1) per l'inventario, il MOQ è 3pcs.

(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10-20pcs su.

anche possiamo fornire l'altro wafer a semiconduttore dei materiali come come sotto

Etichette:

Income arsenide di indio2 pollici 3 pollici 4 pollici Substrato a cristallo singolo N/P Tipo di semiconduttore Spessore di wafer 300-800um

Ottenga il migliore prezzo

Wafer del nitruro di gallio

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer di GaAs

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

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Wafer LiNbO3

Wafer di GaAs

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

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GasSb

substrato del MgO

Wafer di Gap

Specificazione di prodotto

substrato del MgO

Wafer di Gap

wafer del inp

Dispositivo elettronico ad alta potenza di tipo pin a fondo piatto Cu≥99.9%

Income arsenide di indio2 pollici 3 pollici 4 pollici Substrato a cristallo singolo N/P Tipo di semiconduttore Spessore di wafer 300-800um