Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Model Number: InAs wafer
Termini di pagamento e spedizione
Delivery Time: 2-4 weeks
Payment Terms: T/T
Materiale: |
Arsenuro di indio |
Dimensione: |
2 pollici |
Spessore: |
500 mm ± 25 mm |
orientamento: |
< 100> |
Desità: |
50,67 g/cm |
personalizzato: |
Sostenuto |
Materiale: |
Arsenuro di indio |
Dimensione: |
2 pollici |
Spessore: |
500 mm ± 25 mm |
orientamento: |
< 100> |
Desità: |
50,67 g/cm |
personalizzato: |
Sostenuto |
Wafer di arsenide di indio da 2 pollici, Wafer epitaxial InAs per diodo laser LD, wafer epitaxial semiconduttore, wafer InAs-Zn da 3 pollici,InAs single crystal wafer 2inch 3inch 4inch InAs-Zn substrati per l'applicazione LD, wafer semiconduttore, wafer epitaxial laser con arseniuro di indio
Caratteristiche della wafer InAs-Zn
- utilizzare i wafer INA per la fabbricazione di
- supportare quelli personalizzati con disegni artistici
- bandgap diretto, emette luce in modo efficiente, usato nei laser.
- nella gamma di lunghezze d'onda da 1,5 μm a 5,6 μm, strutture di pozzi quantistici
- utilizzando tecniche quali MOCVD o MBE, incisione, metallizzazione e confezionamento per ottenere la forma finale del dispositivo
Descrizioni di InAs-ZnWafer
L'arsenuro di indio (InAs) è un importante materiale semiconduttore ampiamente utilizzato in campi come i rilevatori a infrarossi e i laser a causa del suo intervallo di banda ristretta (circa 0,354 eV).
InAs esiste solitamente sotto forma di un sistema cristallino cubico, e la sua elevata mobilità elettronica lo rende ben funzionante nei dispositivi elettronici ad alta velocità.
I wafer InAs di alta qualità possono essere coltivati mediante tecniche quali l'epitaxia a fascio molecolare (MBE) o la deposizione di vapore chimico organico metallico (MOCVD),con una lunghezza di 20 mm o più ma non superiore a 20 mm,, soprattutto nelle bande 3-5 μm e 8-12 μm.
Inoltre, la struttura InAs dopata di zinco (Zn) può regolare la sua conducibilità per formare semiconduttori di tipo p o n, ottimizzando così le sue proprietà elettriche.
Lo sviluppo di pozzi quantistici e di strutture di punti quantistici ha ulteriormente accresciuto il potenziale di applicazione degli INA nel campo dell'optoelettronica.
La tecnologia dei punti quantistici consente agli INAs di svolgere un ruolo importante in settori emergenti come il calcolo quantistico e la bioimaging.
Con l'aumento della domanda di dispositivi a infrarossi ad alte prestazioni e tecnologie quantistiche, le prospettive di ricerca e di applicazione degli INAs e dei loro materiali dopati sono ampie.
Dettagli di InAs-ZnWafer
| parametro | InAs-ZnWafer |
| Composizione del materiale | Arsenico di indio (InAs) + doping di zinco |
| Struttura cristallina | Sistema cubico (struttura della miscela di zinco) |
| Larghezza di banda | ~ 0,354 eV |
| Mobilità elettronica | ~ 30.000 cm2/V·s |
| Mobilità delle buche | ~ 200 cm2/V·s |
| densità | ~ 5,67 g/cm3 |
| Punto di fusione | ~ 942 °C |
| Conduttività termica | ~0,5 W/m·K |
| Spazio di banda ottica | ~ 0,354 eV |
| Metodo di doping | Doping di tipo P (via zinco) |
| Aree di applicazione | Laser a infrarossi, rilevatori, punti quantistici |
| Dimensione | Diametro 2 pollici |
| Spessore | 500 mm ± 25 mm |
| Orientazione | < 100> |
Campioni diAs-ZnWafer'
* Si prega di contattarci se avete i requisiti personalizzati.
Di noi
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Domande frequenti
1. D: Che dire del costo dei wafer InAs-Zn rispetto ad altri wafer?
R: I wafer InAs-Zn sono in genere più costosi dei wafer in silicio e GaAs a causa della scarsità di materiali, dei processi di produzione complessi e della domanda specializzata del mercato.
2D: Che dire delle prospettive future di InAs-Zn?Ofrelle?
R: Le prospettive future delle wafer INA sono piuttosto promettenti.
