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Wafer nero del fosfuro di indio, wafer a semiconduttore per l'applicazione di LD
  • Wafer nero del fosfuro di indio, wafer a semiconduttore per l'applicazione di LD
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Wafer nero del fosfuro di indio, wafer a semiconduttore per l'applicazione di LD

Luogo di origine La Cina
Marca zmkj
Numero di modello InP-001
Dettagli del prodotto
Materiali:
Monocristallo del InP
industria:
substrati a semiconduttore, dispositivo,
colore:
Black
Dimensioni:
2-4inch
Tipo:
N tipo, P tipo, Si tipo
Spessore:
350um, 500um, 625um
Evidenziare: 

substrato del MgO

,

Wafer di Gap

Descrizione di prodotto

substrati per l'applicazione di LD, wafer a semiconduttore, wafer del InP, wafer del InP di 2inch 3inch 4inch del monocristallo

Il InP presenta

               

Monocristallo del InP
Wafer nero del fosfuro di indio, wafer a semiconduttore per l'applicazione di LD 0
 

La crescita del tCZ (metodo modificato di Czochralski) è usata per tirare un monocristallo con un encapsulant liquido dell'ossido borico a partire da un seme. Il dopant (Fe, S, Sn o Zn) si aggiunge al crogiolo con il polycrystal. L'alta pressione si applica dentro la camera per impedire la decomposizione del fosfuro di indio. abbiamo sviluppato un processo per rendere l'elevata purezza completamente stechiometrica e ed il monocristallo basso del InP di densità di dislocazione.

La tecnica del tCZ migliora sopra grazie di metodo di LEC ad una tecnologia termica del deflettore in relazione ad una modellistica numerica degli stati termici della crescita. il tCZ è una tecnologia matura redditizia con la riproducibilità di alta qualità dal boule al boule.

 

Specificazione

Oggetto Diametro Tipo concentrazione di trasporto Mobilità Resistività MPD
S-InP 2     N      (0.8-6) X10^18 (1.5-3.5) x10^3   <500
3 <500
4 <1x10^3
Fe-InP 2/3/4     SI     >1000 >0.5x10^7 >5x10^3
Zn-InP 2/3/4     P     (0.6-6) X10^18      50-70   <1x10^3
Nessun InP dello stimolante 2     N    <3x10^16 (3.5-4) x10^3   <5x10^3
  Altro
Orientamento (100)/(111) ±0.5° Planarità
TTV Arco Filo di ordito
<12um <12um ≤15um
primo del piano 16±2mm 22±2mm 32.5±2.5mm
2st del piano 8±1mm 11±2mm 32.5±2.5mm
Superficie: 1sp o 2sp, 2inch 350±25um, 3inch 600±25um, 4inch 625±25um, o tramite su misura

 

2. Punto di processo del wafer del InP

 

Elaborazione del wafer del InP
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Ogni lingotto è wafer incisi che sono avvolti, lucidato e di superficie pronto per l'epitassia. Il processo globale è dettagliato qui sotto.

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Specificazione ed identificazione piane L'orientamento è indicato sui wafer da due appartamenti (lungamente pianamente per l'orientamento, il piccolo appartamento per identificazione). La norma di E.J. (europea-nipponica) è usata solitamente. La configurazione piana alterna (Stati Uniti) principalmente è usata per Ø 4" wafer.
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Orientamento del boule Qualsiasi wafer esatti (100) o misoriented sono offerti.
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Accuratezza dell'orientamento di DI In risposta ai bisogni dell'industria optoelettronica, offriamo i wafer con accuratezza eccellente del dell'orientamento: < 0="">
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Profilo del bordo Ci sono due spec. comuni: bordo chimico che elabora o che elabora meccanico del bordo (con una smerigliatrice del bordo).
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Polacco I wafer sono lucidati per mezzo di un processo prodotto-meccanico con conseguente piano, surface.we senza danno fornisce sia i wafer lucidati che unico side lucidati di doppio side (con il lato posteriore avvolto ed inciso).
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Preparazione della superficie ed imballaggio finali I wafer passano con molti punti chimici eliminare l'ossido prodotto durante la lucidatura e creare una superficie pulita con lo strato dell'ossido dell'uniforme e della stalla che è pronto per la crescita epitassiale - superficie epiready e che riduce gli oligoelementi ad estremamente - bassi livelli. Dopo ispezione finale, i wafer sono imballati in un modo che mantiene la pulizia di superficie.
Le istruzioni specifiche per rimozione dell'ossido sono disponibili per tutti i tipi di tecnologie epitassiali (MOCVD, MBE).
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Base di dati Come componente del nostro programma statistico qualità totale/del controllo dei processi, l'estesa base di dati che registra le proprietà elettriche e meccaniche per ogni analisi del lingotto come pure di qualità e della superficie del cristallo dei wafer è disponibile. In ogni fase di montaggio, il prodotto è ispezionato prima del passaggio alla fase seguente per mantenere un ad alto livello di consistenza di qualità dal wafer al wafer e dal boule al boule.

 

Campione                                                                                                                   

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Controllo di qualità. standard                                                                                                         

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Pacchetto & consegna  

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FAQ:

 

Q: Che cosa è il vostro MOQ?

A: (1) per l'inventario, il MOQ è 5 pc.

(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10-30 pc su.

 

Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?

A: (1) accettiamo DHL, Fedex, lo SME ecc.

(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.

Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.

 

Q: Come pagare?

A: T/T, Paypal, pagamento sicuro e pagamento di assicurazione.

 

Q: Che cosa è il termine di consegna?

A: (1) per i prodotti standard

Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.

Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.

(2) per i prodotti a forma di speciale, la consegna è 4 settimane lavorative dopo che ordinate.

 

Q: Avete prodotti standard?

A: I nostri prodotti standard in azione.

 

Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?

A: Sì, possiamo personalizzare il materiale, specifiche per le vostre componenti ottiche basate sui vostri bisogni.

 

Contattici in qualunque momento

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