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Buon prezzo N / La P scrive il wafer a macchina del germanio, diametro 0,5 ~ 150mm dei piatti dell'ottica del germanio in linea
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InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphide Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer per sensori intelligenti

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Colore del nero del diametro del wafer 100mm del fosfuro di indio del InP del diodo laser

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Semi che isolano il tipo a 2 pollici wafer fittizio di 50mm N del fosfuro di indio del InP

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Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD

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Wafer di fosfuro di indio InP Substrati semiconduttori Epitaxial 2'' 3' 4' spessore 350um

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InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche

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2' 4' InP Wafer Indium Fosfuro Wafer Semiconduttore Substrati 350um 650um

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Wafer DFB N-InP substrato epiwafer strato attivo InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pollici per sensore di gas

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DFB Epiwafer InP Substrato MOCVD Metodo 2 4 6 pollici Lunghezza d'onda operativa 1,3 μm, 1,55 μm

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FP Epiwafer InP Strato di contatto strato InGaAsP Dia 2 3 4 pollici per OCT 1.3um banda di lunghezza d'onda

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Substrati a semiconduttore dei wafer del Inp dei monocristalli del germanio

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Wafer ottico del Inp di GE, wafer del fosfuro di indio del dispositivo a semiconduttore

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