InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche

InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche

InP epiwafer's Overview

L'Epiwafer di fosfuro di indio (InP) è un materiale chiave utilizzato in dispositivi optoelettronici avanzati, in particolare i diodi laser Fabry-Perot (FP).InP Epiwafer sono costituiti da strati coltivati epitassialemente su un substrato InP, progettato per applicazioni ad alte prestazioni nelle telecomunicazioni, nei data center e nelle tecnologie di rilevamento.

I laser FP basati su InP sono vitali per la comunicazione in fibra ottica, supportando la trasmissione di dati a corto e medio raggio in sistemi come le reti ottiche passive (PON) e il multiplexing a divisione d'onda (WDM).Le loro lunghezze d'onda di emissione, in genere intorno a 1,3 μm e 1,55 μm, si allineano con le finestre a bassa perdita delle fibre ottiche, rendendole ideali per la trasmissione ad alta velocità a lunga distanza.

Questi wafer trovano applicazioni anche nelle interconnessioni dati ad alta velocità all'interno dei data center, dove le prestazioni cost-effective e stabili dei laser FP sono essenziali.I laser FP basati su inP sono utilizzati nel monitoraggio ambientale e nel rilevamento dei gas industriali, dove possono rilevare gas come CO2 e CH4 grazie alla loro emissione precisa nelle bande di assorbimento a infrarossi.

Nel campo medico, gli epiwafer InP contribuiscono ai sistemi di tomografia a coerenza ottica (OCT), fornendo capacità di imaging non invasive.La loro integrazione in circuiti fotonici e potenziale impiego nelle tecnologie aerospaziali e della difesa, come il LIDAR e la comunicazione satellitare, evidenziano la loro versatilità.

Nel complesso, gli epiwafer InP sono fondamentali per consentire una vasta gamma di dispositivi ottici ed elettronici a causa delle loro eccellenti proprietà elettriche e ottiche, in particolare nel raggio da 1,3 μm a 1.Intervallo di lunghezza d'onda di 55 μm.

Struttura dell'epiwafer InP

Risultato del test PL Mapping dell'epiwafer InP

Le foto di InP epiwafer

Scheda di dati chiave e caratteristiche dell'epiwafer InP

Gli Epiwafer a fosfuro di indio (InP) si distinguono per le loro eccellenti proprietà elettriche e ottiche, che li rendono essenziali per dispositivi optoelettronici ad alte prestazioni.Di seguito è riportata una panoramica delle principali proprietà che definiscono gli Epiwafer InP:

1Struttura cristallina e costante di reticolo

• Struttura cristallina: InP ha una struttura cristallina di zinc-blenda.
• Costante di reticolo: 5,869 Å. La quasi perfetta corrispondenza del reticolo con materiali come InGaAs e InGaAsP consente la crescita di strati epitaxiali di alta qualità,riducendo al minimo i difetti quali lussazioni e deformazioni.

2. Distanza di banda e lunghezza d'onda di emissione

• Bandgap: InP ha un bandgap diretto di 1,344 eV a 300 K, corrispondente a una lunghezza d'onda di emissione di circa 0,92 μm.
• Intervallo di emissione dell'epiwafer: gli strati epitaxiali coltivati su InP consentono in genere il funzionamento del dispositivo nell'intervallo di lunghezza d'onda da 1,3 μm a 1,55 μm, ideale per i sistemi di comunicazione ottica.

3Alta mobilità elettronica

• InP presenta un'elevata mobilità elettronica (5400 cm2/V·s), che si traduce in un rapido trasporto degli elettroni,con una lunghezza massima di 20 mm o più ma non superiore a 30 mm,.

4Conduttività termica

• Conduttività termica: InP ha una conduttività termica di circa 0,68 W/cm·K a temperatura ambiente.è adeguato per dissipare il calore in molti dispositivi optoelettronici, soprattutto con una corretta gestione termica.

5. Trasparenza ottica

• InP è trasparente alle lunghezze d'onda superiori al suo intervallo di banda, consentendo un'efficiente emissione e trasmissione di fotoni nel campo dell'infrarosso, in particolare nelle lunghezze d'onda critiche delle telecomunicazioni (1,3 μm e 1,1).55 μm).

6Doping e conduttività

• Doping di tipo n e p: InP può essere dopato con donatori (ad esempio zolfo) o accettori (ad esempio zinco), offrendo flessibilità nella creazione di regioni di tipo n e p necessarie per vari dispositivi semiconduttori.
• Alta conduttività: gli strati di contatto pesantemente dopati coltivati su substrati InP assicurano contatti ohmici a bassa resistenza, migliorando l'efficienza dell'iniezione di corrente in dispositivi come i laser FP.

7. bassa densità di difetti

• Gli Epiwafer InP presentano una bassa densità di difetti, cruciale per dispositivi ad alte prestazioni.

In sintesi, le proprietà degli Epiwafer InP, quali l'elevata mobilità elettronica, la bassa densità di difetti, l'adeguamento del reticolo e il funzionamento efficace nelle lunghezze d'onda critiche delle telecomunicazioni,rendendoli indispensabili nell' optoelettronica moderna, in particolare nelle applicazioni di comunicazione ad alta velocità e di rilevamento.

Applicazione dell'epiwafer InP

Gli Epiwafer a fosfuro di indio (InP) sono fondamentali in diversi settori tecnologici avanzati a causa delle loro eccellenti proprietà optoelettroniche.

1.Comunicazione in fibra ottica

• Diodi laser (laser FP/DFB): Gli Epiwafer inP sono utilizzati per la fabbricazione di laser Fabry-Perot (FP) e Distributed Feedback (DFB), che operano a lunghezze d'onda di 1,3 μm e 1,55 μm.Queste lunghezze d'onda si allineano con le finestre di trasmissione a bassa perdita delle fibre ottiche, che li rende ideali per la comunicazione di dati a lunga distanza.
• Dispositivi per il controllo delle emissioniGli Epiwafer sono utilizzati anche per realizzare fotodetettori per la ricezione di segnali ottici nei sistemi a fibra ottica.

2.Interconnessioni del Data Center

• I laser e i rilevatori basati su InP sono impiegati in moduli ottici che consentono interconnessioni ad alta velocità e a bassa latenza all'interno dei data center, migliorando le prestazioni complessive della rete.

3.Sensore ottico e rilevamento dei gas

• Sensori di gas: Gli Epiwafer inP sono utilizzati per la fabbricazione di laser che operano nel campo infrarosso, adatti per applicazioni di rilevamento dei gas (ad esempio, CO2, CH4) nel monitoraggio industriale, ambientale e di sicurezza.
• Tomografia di coerenza ottica (OCT): Le fonti luminose basate su inP sono cruciali per le tecnologie di imaging medica come l'OCT, utilizzate per la diagnosi non invasiva nell'assistenza sanitaria.

4.Circuiti integrati fotonici (PIC)

• Gli Epiwafer InP sono materiali fondamentali per i circuiti integrati fotonici che combinano molteplici funzioni fotoniche (ad esempio, laser, modulatori,e rilevatori) su un unico chip per applicazioni di comunicazione ad alta velocità, elaborazione del segnale e calcolo quantistico.

5.LIDAR (Light Detection and Ranging)

• I laser basati su inP sono utilizzati nei sistemi LIDAR per veicoli autonomi, mappatura aerea e varie applicazioni di difesa.fonti luminose affidabili generate da epiwafer InP per misurazioni di distanza e velocità.

6.Comunicazione satellitare e spaziale

• I laser e i fotodetettori InP svolgono un ruolo cruciale nelle comunicazioni satellitari e nelle applicazioni aerospaziali, consentendo una trasmissione di dati sicura e ad alta velocità su vaste distanze.

7.Difesa e aerospaziale

• Gli Epiwafer InP sono utilizzati in sistemi di difesa avanzati come radar ad alta velocità, guida missilistica e sistemi di comunicazione sicuri, dove le prestazioni affidabili e ad alta frequenza sono fondamentali.

Queste applicazioni evidenziano la versatilità e l'importanza degli Epiwafer InP nei moderni dispositivi optoelettronici e fotonici.

Domande e risposte

Cosa sono gli epiwafer InP?

Epiwafer a base di fosfuro indio (InP)sono wafer a semiconduttore composte da un substrato InP con uno o più strati di vari materiali (come InGaAs, InGaAsP o AlInAs) coltivati epitazialmente.Questi strati sono depositati con precisione sul substrato InP per creare strutture di dispositivi specifici su misura per applicazioni optoelettroniche ad alte prestazioni.