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InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche

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InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche

InP FP Epiwafer  InP Substrate N/p Type 2 3 4 Inch With Thickeness Of 350-650um For Optical Net Work
InP FP Epiwafer  InP Substrate N/p Type 2 3 4 Inch With Thickeness Of 350-650um For Optical Net Work InP FP Epiwafer  InP Substrate N/p Type 2 3 4 Inch With Thickeness Of 350-650um For Optical Net Work InP FP Epiwafer  InP Substrate N/p Type 2 3 4 Inch With Thickeness Of 350-650um For Optical Net Work InP FP Epiwafer  InP Substrate N/p Type 2 3 4 Inch With Thickeness Of 350-650um For Optical Net Work

Grande immagine :  InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche

Dettagli:
Place of Origin: China
Marca: ZMSH
Certificazione: ROHS
Termini di pagamento e spedizione:
Delivery Time: 2-4weeks
Payment Terms: T/Ts
Descrizione di prodotto dettagliata
PL Wavelength control: Better than 3nm PL Wavelength uniformity: Std.Dev better than 1nm @inner 42mm
Thickness control: Better than ±3% Doping control: Better than +10%
P-InP doping (cm-3): Zn doped; 5e17 to 2e18 N-InP doping (cm-3): Si doped; 5e17 to 3e18
AllnGaAs doping (cm-3): 1e17 to 2e18 InGaAsP doping (cm-3): 5e17 to 1e19
Evidenziare:

Epiwafer InP FP da 350-650um

,

epiwafer InP FP di tipo n/p

InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche

InP epiwafer's Overview

L'Epiwafer di fosfuro di indio (InP) è un materiale chiave utilizzato in dispositivi optoelettronici avanzati, in particolare i diodi laser Fabry-Perot (FP).InP Epiwafer sono costituiti da strati coltivati epitassialemente su un substrato InP, progettato per applicazioni ad alte prestazioni nelle telecomunicazioni, nei data center e nelle tecnologie di rilevamento.

I laser FP basati su InP sono vitali per la comunicazione in fibra ottica, supportando la trasmissione di dati a corto e medio raggio in sistemi come le reti ottiche passive (PON) e il multiplexing a divisione d'onda (WDM).Le loro lunghezze d'onda di emissione, in genere intorno a 1,3 μm e 1,55 μm, si allineano con le finestre a bassa perdita delle fibre ottiche, rendendole ideali per la trasmissione ad alta velocità a lunga distanza.

Questi wafer trovano applicazioni anche nelle interconnessioni dati ad alta velocità all'interno dei data center, dove le prestazioni cost-effective e stabili dei laser FP sono essenziali.I laser FP basati su inP sono utilizzati nel monitoraggio ambientale e nel rilevamento dei gas industriali, dove possono rilevare gas come CO2 e CH4 grazie alla loro emissione precisa nelle bande di assorbimento a infrarossi.

Nel campo medico, gli epiwafer InP contribuiscono ai sistemi di tomografia a coerenza ottica (OCT), fornendo capacità di imaging non invasive.La loro integrazione in circuiti fotonici e potenziale impiego nelle tecnologie aerospaziali e della difesa, come il LIDAR e la comunicazione satellitare, evidenziano la loro versatilità.

Nel complesso, gli epiwafer InP sono fondamentali per consentire una vasta gamma di dispositivi ottici ed elettronici a causa delle loro eccellenti proprietà elettriche e ottiche, in particolare nel raggio da 1,3 μm a 1.Intervallo di lunghezza d'onda di 55 μm.

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Struttura dell'epiwafer InP

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Risultato del test PL Mapping dell'epiwafer InP

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Le foto di InP epiwafer

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Scheda di dati chiave e caratteristiche dell'epiwafer InP

Gli Epiwafer a fosfuro di indio (InP) si distinguono per le loro eccellenti proprietà elettriche e ottiche, che li rendono essenziali per dispositivi optoelettronici ad alte prestazioni.Di seguito è riportata una panoramica delle principali proprietà che definiscono gli Epiwafer InP:

1Struttura cristallina e costante di reticolo

  • Struttura cristallina: InP ha una struttura cristallina di zinc-blenda.
  • Costante di reticolo: 5,869 Å. La quasi perfetta corrispondenza del reticolo con materiali come InGaAs e InGaAsP consente la crescita di strati epitaxiali di alta qualità,riducendo al minimo i difetti quali lussazioni e deformazioni.

2. Distanza di banda e lunghezza d'onda di emissione

  • Bandgap: InP ha un bandgap diretto di 1,344 eV a 300 K, corrispondente a una lunghezza d'onda di emissione di circa 0,92 μm.
  • Intervallo di emissione dell'epiwafer: gli strati epitaxiali coltivati su InP consentono in genere il funzionamento del dispositivo nell'intervallo di lunghezza d'onda da 1,3 μm a 1,55 μm, ideale per i sistemi di comunicazione ottica.

3Alta mobilità elettronica

  • InP presenta un'elevata mobilità elettronica (5400 cm2/V·s), che si traduce in un rapido trasporto degli elettroni,con una lunghezza massima di 20 mm o più ma non superiore a 30 mm,.

4Conduttività termica

  • Conduttività termica: InP ha una conduttività termica di circa 0,68 W/cm·K a temperatura ambiente.è adeguato per dissipare il calore in molti dispositivi optoelettronici, soprattutto con una corretta gestione termica.

5. Trasparenza ottica

  • InP è trasparente alle lunghezze d'onda superiori al suo intervallo di banda, consentendo un'efficiente emissione e trasmissione di fotoni nel campo dell'infrarosso, in particolare nelle lunghezze d'onda critiche delle telecomunicazioni (1,3 μm e 1,1).55 μm).

6Doping e conduttività

  • Doping di tipo n e p: InP può essere dopato con donatori (ad esempio zolfo) o accettori (ad esempio zinco), offrendo flessibilità nella creazione di regioni di tipo n e p necessarie per vari dispositivi semiconduttori.
  • Alta conduttività: gli strati di contatto pesantemente dopati coltivati su substrati InP assicurano contatti ohmici a bassa resistenza, migliorando l'efficienza dell'iniezione di corrente in dispositivi come i laser FP.

7. bassa densità di difetti

  • Gli Epiwafer InP presentano una bassa densità di difetti, cruciale per dispositivi ad alte prestazioni.
Immobili Descrizione
Struttura cristallina Struttura cristallina della miscela di zinco
Costante di reticolo 5.869 Å - Si adatta bene con InGaAs e InGaAsP, riducendo al minimo i difetti
Bandgap 1.344 eV a 300 K, corrispondente a una lunghezza d'onda di emissione di ~ 0,92 μm
Intervallo di emissione dell'epiwafer Tipicamente nell'intervallo da 1,3 μm a 1,55 μm, adatto per la comunicazione ottica
Alta mobilità elettronica 5400 cm2/V·s, che consentono applicazioni di dispositivi ad alta velocità e ad alta frequenza
Conduttività termica 00,68 W/cm·K a temperatura ambiente, fornisce una dissipazione termica adeguata
Trasparenza ottica Trasparente sopra il suo intervallo di banda, che consente un'emissione di fotoni efficiente nella gamma IR
Doping e conduttività Può essere dopato come tipo n (zolfo) o tipo p (zinco), supporta i contatti ohmici
Bassa densità di difetti Bassa densità di difetti, migliora l'efficienza, la longevità e l'affidabilità dei dispositivi

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In sintesi, le proprietà degli Epiwafer InP, quali l'elevata mobilità elettronica, la bassa densità di difetti, l'adeguamento del reticolo e il funzionamento efficace nelle lunghezze d'onda critiche delle telecomunicazioni,rendendoli indispensabili nell' optoelettronica moderna, in particolare nelle applicazioni di comunicazione ad alta velocità e di rilevamento.


Applicazione dell'epiwafer InP

Gli Epiwafer a fosfuro di indio (InP) sono fondamentali in diversi settori tecnologici avanzati a causa delle loro eccellenti proprietà optoelettroniche.

1.Comunicazione in fibra ottica

  • Diodi laser (laser FP/DFB): Gli Epiwafer inP sono utilizzati per la fabbricazione di laser Fabry-Perot (FP) e Distributed Feedback (DFB), che operano a lunghezze d'onda di 1,3 μm e 1,55 μm.Queste lunghezze d'onda si allineano con le finestre di trasmissione a bassa perdita delle fibre ottiche, che li rende ideali per la comunicazione di dati a lunga distanza.
  • Dispositivi per il controllo delle emissioniGli Epiwafer sono utilizzati anche per realizzare fotodetettori per la ricezione di segnali ottici nei sistemi a fibra ottica.

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2.Interconnessioni del Data Center

  • I laser e i rilevatori basati su InP sono impiegati in moduli ottici che consentono interconnessioni ad alta velocità e a bassa latenza all'interno dei data center, migliorando le prestazioni complessive della rete.

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3.Sensore ottico e rilevamento dei gas

  • Sensori di gas: Gli Epiwafer inP sono utilizzati per la fabbricazione di laser che operano nel campo infrarosso, adatti per applicazioni di rilevamento dei gas (ad esempio, CO2, CH4) nel monitoraggio industriale, ambientale e di sicurezza.
  • Tomografia di coerenza ottica (OCT): Le fonti luminose basate su inP sono cruciali per le tecnologie di imaging medica come l'OCT, utilizzate per la diagnosi non invasiva nell'assistenza sanitaria.

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4.Circuiti integrati fotonici (PIC)

  • Gli Epiwafer InP sono materiali fondamentali per i circuiti integrati fotonici che combinano molteplici funzioni fotoniche (ad esempio, laser, modulatori,e rilevatori) su un unico chip per applicazioni di comunicazione ad alta velocità, elaborazione del segnale e calcolo quantistico.

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5.LIDAR (Light Detection and Ranging)

  • I laser basati su inP sono utilizzati nei sistemi LIDAR per veicoli autonomi, mappatura aerea e varie applicazioni di difesa.fonti luminose affidabili generate da epiwafer InP per misurazioni di distanza e velocità.

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6.Comunicazione satellitare e spaziale

  • I laser e i fotodetettori InP svolgono un ruolo cruciale nelle comunicazioni satellitari e nelle applicazioni aerospaziali, consentendo una trasmissione di dati sicura e ad alta velocità su vaste distanze.

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7.Difesa e aerospaziale

  • Gli Epiwafer InP sono utilizzati in sistemi di difesa avanzati come radar ad alta velocità, guida missilistica e sistemi di comunicazione sicuri, dove le prestazioni affidabili e ad alta frequenza sono fondamentali.

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Queste applicazioni evidenziano la versatilità e l'importanza degli Epiwafer InP nei moderni dispositivi optoelettronici e fotonici.


Domande e risposte

Cosa sono gli epiwafer InP?

Epiwafer a base di fosfuro indio (InP)sono wafer a semiconduttore composte da un substrato InP con uno o più strati di vari materiali (come InGaAs, InGaAsP o AlInAs) coltivati epitazialmente.Questi strati sono depositati con precisione sul substrato InP per creare strutture di dispositivi specifici su misura per applicazioni optoelettroniche ad alte prestazioni.

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