FP Epiwafer InP Strato di contatto strato InGaAsP Dia 2 3 4 pollici per OCT 1.3um banda di lunghezza d'onda

FP epiwafer InP strato di contatto del substrato InGaAsP Dia 2 3 4 pollici per la banda di lunghezza d'onda OCT 1.3um

Rapporto del substrato InP dell'epiwafer FP

Gli epiwafer Fabry-Perot (FP) su substrati di fosfuro di indio (InP) sono componenti chiave nello sviluppo di dispositivi optoelettronici,in particolare diodi laser utilizzati nelle applicazioni di comunicazione ottica e di rilevamentoI substrati inP forniscono una piattaforma ideale a causa della loro elevata mobilità elettronica, della banda di separazione diretta e dell'eccellente abbinamento del reticolo per la crescita epitassiale.Questi wafer hanno in genere più strati epitaxiali, come InGaAsP, che formano la cavità laser FP e sono progettati per emettere luce nelle bande critiche di lunghezza d'onda da 1,3 μm a 1,55 μm, rendendoli altamente efficaci per la comunicazione in fibra ottica.

I laser FP, coltivati su questi epiwafer, sono noti per la loro struttura relativamente semplice rispetto ad altri tipi di laser, come i laser a Feedback Distribuito (DFB),che li rende una soluzione conveniente per molte applicazioniQuesti laser sono ampiamente utilizzati nei sistemi di comunicazione ottica a corto e medio raggio, nelle interconnessioni dei data center e nelle tecnologie di rilevamento come il rilevamento dei gas e la diagnostica medica.

Gli epiwafer FP basati su InP offrono flessibilità nella selezione delle lunghezze d'onda, buone prestazioni e costi di produzione inferiori, rendendoli un componente vitale nei settori in crescita delle telecomunicazioni,monitoraggio ambientale, e circuiti fotonici integrati.

Scheda dati del substrato InP dell'epiwafer FP

Diagramma del substrato InP dell'epiwafer FP

Proprietà del substrato InP dell'epiwafer FP

InP Substrato

• Costante di reticolo: 5,869 Å, fornendo un'eccellente corrispondenza reticolare con materiali come InGaAsP, riducendo al minimo i difetti negli strati epitaxiali.
• Bandgap diretto: 1,344 eV (corrispondente a una lunghezza d'onda di emissione di ~ 0,92 μm), ideale per applicazioni optoelettroniche, in particolare nello spettro infrarosso.
• Alta mobilità elettronica: 5400 cm2/V·s, che consente prestazioni di dispositivi ad alta velocità e ad alta frequenza, cruciali per le tecnologie di comunicazione.
• Conduttività termica: 0,68 W/cm·K, che fornisce un'adeguata dissipazione del calore per dispositivi come i laser.

Strati epitaxiali

• Regione attiva: tipicamente realizzati con InGaAsP o composti correlati, questi strati emettono luce nelle bande di lunghezza d'onda da 1,3 μm a 1,55 μm, essenziali per la comunicazione in fibra ottica.
• Pozzi quantistici multipli: questi possono essere utilizzati per migliorare le prestazioni del laser FP, migliorando l'efficienza e le velocità di modulazione.
• Doping: gli strati epitaxiali sono dopati (tipo n o tipo p) per facilitare l'iniezione di carica e garantire contatti ohmici a bassa resistenza.

Proprietà ottiche

• Lunghezza d'onda di emissione: in genere nell'intervallo da 1,3 μm a 1,55 μm, queste sono le lunghezze d'onda ideali per le applicazioni di telecomunicazione a causa della trasmissione a bassa perdita nelle fibre ottiche.
• Faccette riflettenti: i laser FP utilizzano facette naturalmente riflettenti per formare la cavità del laser, semplificando la fabbricazione e riducendo i costi.

Risparmio economico

• Gli epiwafer FP su substrati InP offrono una struttura più semplice rispetto ai tipi di laser più complessi (ad esempio, i laser DFB),riduzione dei costi di produzione mantenendo al contempo buone prestazioni per la comunicazione a corto e medio raggio.

Queste proprietà rendono gli epiwafer FP su substrati InP altamente adatti per l'uso in sistemi di comunicazione ottica, dispositivi di rilevamento e circuiti integrati fotonici.

Applicazione del substrato InP dell'epiwafer FP

Comunicazione in fibra ottica

• Diodi laser: i laser FP su epiwafer InP sono ampiamente utilizzati nei sistemi di comunicazione in fibra ottica, in particolare nella trasmissione di dati a breve e medio raggio.Intervallo di lunghezza d'onda di 55 μm, che corrisponde alle finestre a bassa perdita delle fibre ottiche, rendendole ideali per la trasmissione di dati ad alta velocità.
• Trasmettitori e moduli ottici: i laser FP sono comunemente integrati in trasmettitori ottici utilizzati nei data center e nelle reti di telecomunicazione per trasmettere e ricevere segnali ottici.

Interconnessioni del Data Center

• Connettività ad alta velocità: i laser FP basati su InP sono utilizzati nei data center per le interconnessioni tra server e dispositivi di rete, fornendocollegamenti ottici a bassa latenza essenziali per la gestione di grandi volumi di dati.

Sensore ottico

• Detezione dei gas: i laser FP possono essere sintonizzati su lunghezze d'onda specifiche per rilevare gas come CO2, CH4 e altri inquinanti industriali o ambientali attraverso l'assorbimento a infrarossi.
• Monitoraggio ambientale: i laser FP su substrati InP sono utilizzati nei sensori per il monitoraggio della qualità dell'aria, il rilevamento di gas pericolosi e i sistemi di sicurezza industriale.

Diagnostica medica

• Tomografia di coerenza ottica (OCT): i laser basati su InP sono utilizzati nei sistemi OCT per l'imaging non invasivo,comunemente utilizzato in oftalmologia per scansioni dettagliate della retina e in dermatologia per l'imaging dei tessuti.

FP epiwafer foto del substrato InP

Domande e risposte

Che cos'e' l'EPI nel wafer?

EPInella tecnologia dei wafer significaEpitaxia, che si riferisce al processo di deposito di uno strato sottile di materiale cristallino (strato epitaxiale) su un substrato semiconduttore (come il silicio o l'InP).Questo strato epitassale ha la stessa struttura cristallografica del substrato sottostante, consentendo una crescita di alta qualità e priva di difetti, essenziale per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori avanzati.