Ge Lens Semiconductor Substrates INP Indium Gallium Phosphide Wafer
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Macchina di incollaggio a temperatura ambiente semiautomatica 2/4/6/8/12 pollici Materiale compatibile Zaffiro Si SiC InP GaAs GaN LT/LN Diamante vetro
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3,58 substrato del cristallo dell'ossido di magnesio del wafer del substrato/MgO del MgO di densità
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N / La P scrive il wafer a macchina del germanio, diametro 0,5 ~ 150mm dei piatti dell'ottica del germanio
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Il wafer del fosfuro di indio dei monocristalli del germanio ha personalizzato la lente ottica 4/a 6 pollici di GE
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Wafer nero del fosfuro di indio, wafer a semiconduttore per l'applicazione di LD
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Spessore primario/fittizio 350um del wafer del fosfuro di indio del grado per il LD
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2" S dopato GaP semiconduttore EPI Wafer N Tipo P Tipo 250um 300um Diodi emettitori di luce