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Carburo di silicio (SiC) in polvere ad alta purezza 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Dimensione delle particelle SIC Crescita cristallina

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​​Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm​​

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

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Sic 3C-N Tipo Dimensione Meccanica Tipo conduttore per sistemi radar Grado di produzione MPD zero

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Effettore finale in ceramica SiC personalizzato per la manipolazione dei wafer

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Wafer fittizio SiC per la stabilizzazione del processo di semiconduttori e il condizionamento delle apparecchiature

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Portatore di barche in ceramica SiC personalizzato per la movimentazione di wafer

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330um di spessore 4 di H-N Type grado Dia50.8mm 2inch di produzione del substrato sic

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2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic

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6inch tipo sic substrato di spessore 350um 4H N del diametro 150mm per lo SBD MOS Application

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4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic

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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 4H-N per dispositivi MOS Dia 0,4 mm

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