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Mr. Wang

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Wafer di grado di prova da 6 pollici e 8 pollici per taglio laser

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10x15mm trasparente 001 applicazione di GaO Substrate For LED dell'ossido del gallio di orientamento

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6' 8' Ultra Spessore SiO2 singolo cristallo 10um 20um 25um Strato di ossido secco bagnato 0.1μm 25μm

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4H-P Carburo di silicio SIC Substrato 4 pollici SIC Wafer 6H-P Per deposizione di nitruri III-V

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6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici

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Substrato di SiC 4H-N spessore 350um utilizzato in optoelettronica materiale semiconduttore

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2/4/6/8 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H 6H 3C Tipo di supporto personalizzare industria dei semiconduttori Dimensioni multiple

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Lato della piastrina del quarzo fuso della silice di forma di rettangolo il doppio ha lucidato il grado di DSP GS1 GS2 GS3

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8 pollici Al2O3 zaffiro finestre ottiche spessore DSP 0,5 mm Asse di orientamento C

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Ricerche SIC

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Il manichino a 4 pollici del substrato del nitruro di silicio 4H-N sic classifica sic il substrato per i dispositivi di alto potere

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8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro

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4° Sottoasse SiC Substrato 2 pollici Applicazioni ad alta temperatura Wafer epitaxial

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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici Sic Tipo 6H-P Spessore 350 μm Grado nullo / primario

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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4'' 200nm AlScN Su Wafer di Silicio SSP DSP Substrati Epitaxiali Per Dispositivi LED

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Cristalli a semiconduttore LN con il metodo della CZ Czochralski per l'applicazione ottica

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Parti di zaffiro Su misura Unità di zaffiro Al2O3 puro Tubi trasparenti Wafer Finestre

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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici 4H-P SIC per fotovoltaica Spessore 350 μm Diametro 50,8 mm Grado zero

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Wafer Sic a carburo di silicio da 4 pollici Tipo 4H-P Diametro 100 mm Spessore 350 μm Grado primario Grado di ricerca

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Wafer al carburo di silicio 6 pollici Sic singolo cristallo 150 mm di diametro 3C-N tipo abito per sistemi radar di comunicazione

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55mm/1010mm Spessore della wafer in carburo di silicio 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistenza meccanica Grado di produzione

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Laalo3 substrato, substrato del cristallo dell'alluminato del lantanio del wafer dell'arsenuro di gallio

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