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Buon prezzo Disco di taglio del substrato 4H-SEMI SiC Dia 10 mm Spessore 5 mm <0001> Alta durezza in linea
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Al Substrato monocristallino metallico di alluminio lucidato < 100> < 110> < 111> 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm

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Metallo di alluminio Substrato a cristallo singolo SSP DSP Dimensioni personalizzate Circuito integrato Spessore di produzione 0,5 mm 1,0 mm

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N-GaAs Substrato VCSEL Epiwafer 6 pollici Gallium Arsenide Wafer 2 pollici <100> <110> Per dispositivi optoelettronici

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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 4H-N per dispositivi MOS Dia 0,4 mm

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comprare Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm fabbricazione online Video

Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm

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substrato di resistività >1E7ohm.cm sic da forma customzied

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12 pollici di diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Carburo di silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conduttivo solare fotovoltaico

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Wafer di grado di prova da 6 pollici e 8 pollici per taglio laser

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Opzione di substrato di carburo di silicio (SiC) per applicazioni industriali di alto livello

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4H-P Carburo di silicio SIC Substrato 4 pollici SIC Wafer 6H-P Per deposizione di nitruri III-V

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6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici

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comprare Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza fabbricazione online Video

Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

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