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Wafer di zaffiro da 2", fuori asse C verso piano A 2°, spessore 430 µm, DSP/SSP

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Placca portante rivestita in SiC ad alta purezza per la movimentazione e il trasferimento delle wafer

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InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphide Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer per sensori intelligenti

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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Wafer di zaffiro Al2O3, fuori asse C verso M-piano 8°, diametri: 2" ′′ 8", spessore personalizzato

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Wafer di zaffiro fuori dell'asse C verso il piano M 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" Personalizzare l'orientamento

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wafer dello zaffiro di spessore di 0.1mm per i batteri ultrabassi della cultura del laboratorio di temperatura

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