Effettore di fine portante per la manipolazione dei wafer

Sic ceramica portante personalizzato Effettore termico per la manipolazione dei wafer

L'effettore termico per la movimentazione dei wafer, realizzato con tecnologia di lavorazione di ultra-precisione, raggiunge una precisione dimensionale a livello di micron (± 0,01 mm) e un'eccezionale stabilità termica (CTE ≤ 4,5 × 10 / 6 K).La sua superficie presenta uno strato protettivo nanocristallino SiC avanzato depositato da CVD (purezza > 99.995%), offrendo una finitura superficiale superiore (Ra<0,05μm) e resistenza all'usura (tasso di usura <0,1μm/1000 cicli), garantendo al contempo un trasferimento di wafer senza danni ad alte velocità (1.5 m/s) con minima generazione di particelle (< 5 particelle/ft3)Il nostro effettivo finale rivestito di SiC di alta purezza dimostra una straordinaria stabilità delle prestazioni a temperature estreme (-200°C~1200°C),eccellente uniformità termica (±1°C@wafer da 150 mm) per una consistenza dello spessore della crescita epitaxiale (±10,5%), e notevole resistenza chimica (pH1-13), mantenendo un funzionamento affidabile per > 100.000 cicli.

Specifica tecnica:

Caratteristiche chiaveEffettore finale per la manipolazione dei wafer

1Strato protettivo di SiC su scala nanometrica attraverso la tecnologia CVD

- Deposito mediante reattore CVD a parete calda (1200°C) con dimensioni di granello da 20-50 nm

- densità di rivestimento ≥ 3,18 g/cm3, porosità < 0,1%

2Stabilità e uniformità termica eccezionali ad alte temperature

- Mantenere la conduttività termica ≥ 120 W/m·K a 1000°C

- Deformazione termica < 0,02 mm/100 mm (certificato ASTM E228)

3. Rivestimento cristallino di SiC ultra-fino per una liscezza a livello atomico

- liquami di diamanti lucidati fino a Ra < 0,3 nm (verificato AFM)

- Coefficiente di attrito superficiale μ< 0,15 (rispetto al wafer di silicio)

4Superiore resistenza chimica e durabilità di pulizia

- velocità di incisione < 0,01 μm/ciclo in soluzioni SC1/SC2

- Superato il test di pulizia dell'acqua con ozono a 2000 cicli (80°C)

5. Disegno strutturale brevettato che impedisce la crepa/delaminazione

- Progettazione dello strato tampone di tensione (transizione gradiente SiC/Si)

- Resiste a 1000 cicli di shock termico (-196°C~300°C) (conforme alla MIL-STD-883)

Applicazioni primarie diEffettore finale per la manipolazione dei wafer

1. Processi front-end per semiconduttori:

· Trasporto di wafer all'interno delle fabbriche (AMHS)

· Carico/scarico di attrezzi per litografia

2Imballaggio avanzato:

· Allineamento di precisione per Fan-out e 3D IC stacking

· Manipolazione di wafer ultra-sottili (< 100 μm) per semiconduttori composti GaN/SiC

3. Ambienti a vuoto:

· Trasferimento di wafer nelle camere PVD/CVD

Compatibilità dei processi, materiali e applicazioni

Prodotti foto diEffettore finale per la manipolazione dei wafer

ZMSH è uno dei principali fornitori di soluzioni di movimentazione di wafer a carburo di silicio (SiC) ad alte prestazioni, specializzata in piastre portanti di ingegneria di precisione e effettivi finali per la produzione di semiconduttori.I nostri componenti SiC avanzati sono dotati di rivestimenti CVD ultra-puri con rugosità superficiale inferiore a 0.1μm Ra, garantendo un funzionamento privo di particelle in ambienti di classe 1. I prodotti dimostrano una eccezionale stabilità termica, mantenendo una precisione dimensionale entro ± 0.03 mm su un intervallo di temperature estreme da -200°C a 1300°C, con coefficienti di espansione termica inferiori a 4,1×10−6/K.