4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici Prime Grade Dummy Grade

Descrizione del prodotto

4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici Prime Grade Dummy Grade

Il wafer in carburo di silicio (SiC) 4H-N da 4 pollici è un materiale semiconduttore con una struttura cristallina politipo 4H.

È tipicamente orientato come (0001) faccia Si o (000-1) faccia C.

Questi wafer sono di tipo N, dopati con azoto e hanno uno spessore di circa 350 μm.

La resistività di questi wafer è generalmente compresa tra 0,015 e 0,025 ohm·cm, e spesso presentano una superficie lucidata su uno o entrambi i lati.

I wafer in carburo di silicio sono rinomati per la loro eccellente conducibilità termica.

E anche per un'ampia banda di 3,23 eV, un campo elettrico ad alta ripartizione e una significativa mobilità elettronica.

Essi presentano un'elevata durezza, che li rende resistenti all'usura e allo shock termico, e hanno un'eccezionale stabilità chimica e termica.

Queste proprietà rendono i Wafer SiC adatti per applicazioni in ambienti difficili, inclusi dispositivi elettronici ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza.

Caratteristiche del Wafer SiC:

Nome del prodotto: Sottostrato di carburo di silicio (SiC)

Struttura esagonale: proprietà elettroniche uniche.

Largo intervallo di banda: 3,23 eV, che consente il funzionamento ad alta temperatura e la resistenza alle radiazioni

Alta conduttività termica: facilita un efficiente dissipo di calore

Campo elettrico ad alta rottura: consente un funzionamento ad alta tensione con minore perdita

Alta mobilità elettronica: migliora le prestazioni dei dispositivi RF e di potenza

Bassa densità di dislocazione: migliora la qualità del materiale e l'affidabilità del dispositivo

Alta durezza: offre resistenza all'usura e allo stress meccanico

Eccellente stabilità chimica: resistente alla corrosione e all'ossidazione

Alta resistenza agli urti termici: mantiene l'integrità sotto rapidi cambiamenti di temperatura

Parametri tecnici dei wafer SiC:

Applicazioni per wafer SiC:

I substrati di SiC (carburo di silicio) sono utilizzati in varie applicazioni ad alte prestazioni a causa delle loro proprietà uniche come alta conduttività termica, elevata resistenza del campo elettrico e ampio intervallo di banda.Ecco alcune applicazioni:

1. elettronica di potenza

MOSFET: per una conversione di potenza efficiente, in grado di gestire alte tensioni e correnti.

Diodi di Schottky: utilizzati nei raddrizzatori di potenza e nelle applicazioni di commutazione, offrendo un basso calo di tensione in avanti e una commutazione rapida.

JFET: ideali per la commutazione e l'amplificazione di potenza ad alta tensione.

2. Dispositivi RF

Amplificatori RF: Migliora le prestazioni nelle telecomunicazioni, specialmente nelle gamme ad alta frequenza.

MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits): utilizzati in sistemi radar, comunicazioni satellitari e altre applicazioni ad alta frequenza.

3. Substrati a LED

LED ad alta luminosità: le eccellenti proprietà termiche lo rendono adatto per applicazioni di illuminazione e visualizzazione ad alta intensità.

Personalizzazione dei Wafer SiC:

Possiamo personalizzare le dimensioni del substrato di SiC per soddisfare le vostre esigenze specifiche.

Offriamo anche un wafer 4H-Semi HPSI SiC con dimensioni di 10x10 mm o 5x5 mm e tipo 6H-N,6H-Semi.

Il prezzo è determinato dal caso, e i dettagli dell'imballaggio possono essere personalizzati in base alle vostre preferenze.

Il tempo di consegna è entro 2-4 settimane. Accettiamo il pagamento tramite T/T.

Questa e' quella di personalizzazione.

Supporto e servizi per le onde SiC:

Il nostro prodotto SiC Substrate è dotato di un supporto tecnico e di servizi completi per garantire prestazioni ottimali e soddisfazione del cliente.

Il nostro team di esperti è disponibile per assistere nella selezione del prodotto, nell'installazione e nella risoluzione dei problemi.

Offriamo formazione e istruzione sull'uso e la manutenzione dei nostri prodotti per aiutare i nostri clienti a massimizzare il loro investimento.

Inoltre, forniamo aggiornamenti e miglioramenti dei prodotti per garantire ai nostri clienti sempre l'accesso alle ultime tecnologie.

Raccomandazione di prodotti concorrenti

Prima di tutto

Siamo orgogliosi di offrire i wafer SiC da 8 pollici, i più grandi disponibili, a prezzi competitivi e di ottima qualità.che li rende la scelta ideale per le applicazioni di semiconduttori ad alte prestazioniState avanti con la nostra tecnologia all'avanguardia!

4H-N Substrato semiconduttore da 8 pollici SIC Wafer di carburo di silicio per fotovoltaico solare

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Secondo

La nostra vasta gamma di wafer SiC comprende tipi 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI, HPSI, 4H-P e 6H-P, per soddisfare varie esigenze industriali.Questi wafer di alta qualità offrono prestazioni eccellenti per l'elettronica di potenza e le applicazioni ad alta frequenza, fornendo flessibilità e

l'affidabilità delle tecnologie d'avanguardia.

Tipo 14H-N

4H-N 4 pollici di nitruro di silicio SiC Substrato di qualità SiC Dummy Substrato per dispositivi ad alta potenza

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Tipo 26H-N

Tipo 34H-SEMI

4" 4H-Semi-Sic Wafer di alta purezza SIC Sottostrati EPI semiconduttori di primaria qualità

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Tipo 4HPSI

10x10x0,5 mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Substrato di onde di carburo di silicio

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Tipo 54H-P 6H-P

Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero

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FAQ per le wafer SiC: