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wafer di GaN-su-SIC Epi di GaN-su-si di 4Inch 6INCH per l'applicazione di rf

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Semiconduttore GaN Substrates del wafer del nitruro di gallio di isolato

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Wafer GaN Substrates 4inch del nitruro di gallio di isolato HVPE

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wafer di GaN-SU-SIC EPI del wafer del nitruro di gallio di 4inch 6inch

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GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED

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Substrato di HVPE GaN o wafer di GaN Template EPI per le applicazioni di rf

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i substrati del orSapphire dello GaN-su-zaffiro 6Inch hanno basato il HEMT principale blu del Epi-wafer

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sapphire Substrate PSS per LED diodi emettitori di luce

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Wafer di GaN del nitruro di gallio di HVPE, isolati del chip di Gan una dimensione di 10 x 10 millimetri

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Wafer porpora a 2 pollici del wafer SSP LED di GaN Sapphire LED Epi

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Wafer del nitruro di gallio del wafer di GaN di efficienza di alto potere per illuminazione di ottimo rendimento

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Wafer d'isolamento semi- Undoped HVPE del nitruro di gallio e tipo del modello

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