Wafer di GaN del nitruro di gallio di HVPE, isolati del chip di Gan una dimensione di 10 x 10 millimetri

 La domanda crescente delle capacità di trattamento ad alta velocità, ad alta temperatura ed alte fa l'industria a semiconduttore del madethe ripensare la scelta dei materiali utilizzati come semiconduttori. Per esempio,                      

mentre i vari dispositivi di calcolo più veloci e più piccoli sorgono, l'uso di silicio sta rendendolo difficile sostenere la legge di Moore. Ma anche in wafer a semiconduttore di GaN in modo da, di elettronica di potenza si sviluppa fuori per il bisogno.              

 dovuto la sue tensione unica di ripartizione di caratteristiche (alto corrente massimo, massimo ed alta frequenza di commutazione), il nitruro di gallio GaN è il materiale unico della scelta per risolvere i problemi energetici del futuro.   GaN ha basato i sistemi ha più alta efficienza energetica, le perdite di potere così di riduzione, commutano ad più alta frequenza, così riducendo la dimensione ed il peso.    

   La tecnologia di GaN è utilizzata nelle numerose applicazioni ad alta potenza quali l'industriale, le alimentazioni elettriche del server e del consumatore, azionamento di CA e solare ed invertitori di UPS ed automobili ibride ed elettriche. Ancora,                       

GaN è adatto idealmente per le applicazioni di rf quali le stazioni base, i radar e tv via cavo cellulari                             

infrastruttura nella rete, settori della difesa e di spazio aereo, grazie alla sua alta forza di ripartizione, figura a basso rumore ed alte linearità.