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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[silicon substrate ]

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Sapphire Wafer 2" Dia 50.8mm±0.1mm Spessore 350um piano C

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Forno di cristallizzazione di zaffiro e kyropoulos processo di crescita della schiuma cristallo di zaffiro 200 kg 400 kg

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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

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Wafer del nitruro di gallio del wafer di GaN di efficienza di alto potere per illuminazione di ottimo rendimento

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