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Forno di cristallizzazione di zaffiro e kyropoulos processo di crescita della schiuma cristallo di zaffiro 200 kg 400 kg

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Forno di cristallizzazione di zaffiro e kyropoulos processo di crescita della schiuma cristallo di zaffiro 200 kg 400 kg

Sapphire ky crystallization furnace kyropoulos foam process growth sapphire crystal 200kg 400kg
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Grande immagine :  Forno di cristallizzazione di zaffiro e kyropoulos processo di crescita della schiuma cristallo di zaffiro 200 kg 400 kg

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Numero di modello: Forno a cristalli di zaffiro kyropoulos
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: by case
Termini di pagamento: T/T
Descrizione di prodotto dettagliata
Capacità di fusione: ≥ 200 kg Potenza di riscaldamento:: 120 kW
Temperatura massima di riscaldamento:: 2100℃ Corrente di uscita:: 0-10000A DC
Evidenziare:

attrezzature per la crescita di cristalli di substrato a LED

,

Apparecchiature di crescita di cristalli di grandi dimensioni

,

Fornaci di cristallizzazione di zaffiro

Forno di cristallizzazione di zaffiro e kyropoulos processo di crescita della schiuma cristallo di zaffiro 200 kg 400 kg 0

 

Descrizione del prodotto

 

 

 

Forno di cristallizzazione di zaffiro e schiuma di kyropouloscristallo di zaffiro di crescita 200 kg 400 kg

 

 

 

 

Kyropoulos bubble method (Ky method for short) is a melt growth method by dipping seed crystals into molten sapphire melt and taking them out at a controlled rate when the crucible and crystal are reversedQuesto metodo può far crescere cristalli di zaffiro di alta qualità, bassa densità di difetti, di grandi dimensioni, ed è ampiamente utilizzato nel substrato LED e in altri campi.

 

 


 

Parametro tecnico

 

Quantità di fusione: ≥ 200 kg
Altezza della cavità del forno: Φ800×1200 mm
Intervallo di velocità di trazione a cristallo singolo: 0.1 ~ 20 mm/h regolazione della velocità senza gradini
Rapido aumento/cascata del cristallo seminale: Regolazione della velocità 0-150 mm/min senza passaggio
Intervallo di velocità di semina: 1 ~ 20 r/min regolazione della velocità senza passaggio
Corso di sollevamento massimo dell'albero del cristallo di semina: 400 mm
Potenza di riscaldamento: 120 kW
Temperatura massima di riscaldamento: 2100°C
Fornitore di alimentazione (linea di entrata): 380V a 3 fasi
Corrente di uscita: 0-10000A DC
Voltaggio di uscita: 0-12,5 V DC
Altezza massima dell'ospite: 2800 mm
Vaccum limite della camera del forno: ≤ 6,7 × 10-3 Pa
Cella a doppio carico: 100 kg (singolo)
Peso: Circa 1500 kg.
Peso della macchina: circa 2000 kg
Area principale della macchina: 3800 × 2100 mm
La macchina copre una superficie di: 4000 × 3100 mm
Pressione di ingresso: 00,3 MPa±0,02 MPa
Temperatura di ingresso dell'acqua: 20 ~ 25°C

 

 


Forno di cristallizzazione di zaffiro e kyropoulos processo di crescita della schiuma cristallo di zaffiro 200 kg 400 kg 1

 

Principio di funzionamento
 

 

 

 

Il nucleo del metodo Kyropoulos risiede nella progettazione di campi termici e nel controllo dei semi.l'apparecchiatura lo fa sciogliere e forma una modalità di distribuzione della temperatura di alta temperatura nella parte superiore e bassa temperatura nella parte inferioreI cristalli semi crescono dal centro della superficie di fusione, con i cristalli semi come nucleo, e la fusione cristallizza strato per strato dal crogiolo alla parete cristallina,formando infine un unico cristallo.

 

 

 


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Struttura e caratteristiche del prodotto
 

1. Progettazione del campo termico:compresi il crogiolo, lo strato di protezione termica, lo scambiatore di calore superiore e il corpo di supporto del crogiolo, ecc., per garantire una cristallizzazione uniforme della fusione.


2Controllo dei cristalli di sementi:Controllando con precisione il gradiente di temperatura e la velocità di trazione del cristallo seminale, si ottiene una crescita cristallina di alta qualità.


3Sistema di automazione:Le attrezzature moderne sono di solito dotate di un sistema automatico di impianto e di un sistema di controllo automatico, che possono produrre in modo efficiente.

 

 


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Vantaggio tecnologico

 


1Cristallo di alta qualità:Il metodo Ky può far crescere cristalli di zaffiro di bassa densità di difetto, di grandi dimensioni, per soddisfare la domanda dell'industria LED di substrato di alta qualità.

 


2- Relativamente basso costo:Rispetto ad altri metodi (come il metodo Czochralski), il metodo Ky ha una bassa complessità operativa e costi relativamente controllabili.

 


3- innovazione tecnologica:Il metodo Ky migliorato (IKY) migliora ulteriormente il rendimento dei cristalli e riduce i costi di produzione ottimizzando la tecnologia di estrazione dei semi e del collo.

 

 

 


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Applicazione della macchina

 

 

Le apparecchiature di processo a bolla Kyropoulos sono ampiamente utilizzate nei seguenti settori:

 

 

1Industria dei LED:Utilizzato per produrre un substrato di zaffiro di alta qualità per soddisfare le esigenze della produzione di chip LED.

 


2. Dispositivi militari a infrarossi:Lo zaffiro è ampiamente usato nei materiali per finestre a infrarossi a causa delle sue eccellenti proprietà ottiche.

 


3Tecnologia spaziale satellitare:Lo zaffiro è un materiale chiave nella tecnologia satellitare.

 


4. Materiale per finestre laser:Utilizzato per il materiale delle finestre laser ad alte prestazioni.

 


L'apparecchiatura di crescita dei cristalli Kyropoulos con la sua elevata efficienza, basso costo e alta qualità, nel campo della crescita dei cristalli di zaffiro occupa una posizione importante,ed è ampiamente utilizzato in molti campi di alta tecnologia.

 

 


 

Domande frequenti

 

1Q: Quali sono i principali vantaggi del forno di cristallizzazione dello zaffiro (metodo di bolla di Kiropoulos) rispetto ad altri metodi di crescita dei cristalli?
R: 1. non è necessario tirare continuamente il cristallo seminale: nella fase di crescita di pari diametro, il cristallo viene cristallizzato da raffreddamento naturale, senza basarsi su sollevamento meccanico,ridurre i disturbi e i difetti meccanici.

2. Adatto per cristalli di grandi dimensioni: può produrre un singolo cristallo di zaffiro da 85 a 120 kg per soddisfare le esigenze di produzione di massa industriale, come il substrato LED e le applicazioni per finestre ottiche.

3. Alto rendimento e basso difetto: progettazione ottimizzata del campo termico (come i riscaldatori segmentati e lo scudo termico a più strati), riduzione della densità di dislocazione (< 1000/cm2) e rendimento superiore al 75%.

4Risparmio energetico e automazione: camera a vuoto completamente chiusa e struttura di raffreddamento ad acqua a doppio strato riducono le perdite di energia;combinato con sistema di controllo PLC per ottenere un funzionamento automatizzato e ridurre l'intervento manuale.

 

 

 

2D: Qual è la differenza essenziale tra il principio di funzionamento dell'apparecchiatura a bolla e il metodo tradizionale di sollevamento (come il metodo Czochralski)?
A: 1. differenza di stadio di crescita: metodo di sollevamento: l'intero processo richiede di sollevare meccanicamente il cristallo di seme, e la crescita del cristallo si ottiene controllando la velocità di sollevamento,che è facile causare difetti a causa di vibrazioni meccaniche. Metodo di crescita delle bolle: solo nella fase di neccatura per tirare il cristallo seminale, la fase di diametro uguale dipende dal gradiente di temperatura naturale di crescita, ridurre lo stress e migliorare l'uniformità del cristallo.

2Controllo del campo termico: il metodo di crescita delle bolle adotta un riscaldamento indipendente da due zone di temperatura (corpo di riscaldamento laterale + corpo di riscaldamento inferiore),regola con precisione i gradienti di temperatura assiale e radialeLa regola di sollevamento si basa su una singola fonte di riscaldamento e il gradiente di temperatura è fisso, che è difficile da adattare alla crescita di grandi cristalli.

3Scenario di applicazione: il metodo a bolla è più adatto per cristalli di grande dimensione e di alta purezza (come zaffiro, fluoruro di calcio), mentre il metodo Tila è utilizzato principalmente per il silicio,germanio e altri materiali semiconduttori convenzionali.

 

 

 


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Dettagli di contatto
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