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Apparecchiatura di lucidatura monofacciale ad alta precisione per wafer di Si/SiC/materiali di zaffiro

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Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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Attrezzature per il taglio di ceramica Taglio di filo di diamante a filo singolo/più fili

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Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

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Placca portante rivestita in SiC ad alta purezza per la movimentazione e il trasferimento delle wafer

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comprare Sistema di sottilizzazione dei wafer attrezzature di sottilizzazione di precisione Wafer SiC Si compatibile 4 -12 pollici Wafer capacità fabbricazione online

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Wafer LNOI a pellicola sottile di niobato di litio da 3 / 4 / 6 / 8 pollici con perdita ottica < 0,05 DB / cm

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Taglierina a filo diamantato / Multi-filo / Ad alta velocità / Alta precisione / Discendente / Oscillante

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Wafer di semi di SiC 6 pollici 8 pollici 4H-N Tipo di produzione di qualità di qualità per la crescita di Wafer di SiC

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