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grado di produzione del wafer di 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate per i dispositivi di radiofrequenza

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Lente ottica sic di cristallo trasparente Undoped del carburo di silicio con durezza 9,2

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Barche di quarzo Barche di silice fuso SiO2≥99.99% Robustezza superficiale Ra≤0.1μm Portatore di wafer

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Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

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4H-N Carburo di silicio SiC Substrato 8 pollici Spessore 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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4 spessore del wafer 0.5mm di H-N As-Cut Silicon Carbide per elettronica di potenza

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Wafer del nitruro di gallio a semiconduttore, modello N - tipo del substrato di GaN - a 2 pollici

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro

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Sistema ultrasottile di Semicondutor Al2O3 Sapphire Substrate Plate For Laser

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