Sapphire Wafer C-Plane a M 1°off 99,999% Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" personalizzare l'orientamento

Sapphire Wafer C-Plane a M 1°Off, 99,999% Al2O₃, Diametro 2"/3"/4"/6"/8", Orientazione personalizzata

Questo wafer di zaffiro di altissima purezza presenta un piano C verso l'asse M con un orientamento di 1° con purezza del 99,999% (5N) di Al2O3,progettato per la crescita epitaxiale avanzata e le applicazioni specializzate di semiconduttori. Disponibile in diametri standard da 2 a 8 pollici con orientamenti e spessori personalizzabili, offre una precisione cristallografica eccezionale, una densità di difetto ultra-bassa,e stabilità termica/chimica superiore. L'off-cut di 1° verso l'asse M ottimizza la qualità della pellicola epitassica per i dispositivi a base di GaN, AlN e ZnO, rendendola ideale per LED ad alte prestazioni, diodi laser, elettronica di potenza,e filtri SAW/BAW.

Caratteristiche chiave della valigetta di zaffiro

Precisione di orientamento fuori taglio:

C-piano all'asse M 1° ± 0,1° fuori taglio, riducendo i difetti di aggregazione passo-passo e migliorando l'uniformità dello strato epitaxiale.

Angoli off-cut personalizzati (0,2° ∼5°) disponibili per applicazioni specializzate.

Purezza ultra elevata (5N Al2O3):

99Purezza di 0,999% con tracce di impurità (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, garantendo perdite elettriche/ottiche minime.

Dimensioni e orientamenti personalizzabili:

Diametri: 2", 3", 4", 6", 8"

Spessore: da 100 μm a 1000 μm (tolleranza ± 5 μm).

Orientazioni alternative: piano A (1120), piano R (1102) o tagli misti su richiesta.

Qualità superficiale superiore:

Poliestere pronto all'epinefrina: Ra < 0,5 nm (lato anteriore) per deposizione di film sottile senza difetti.

b. "tecnologia" per l'elaborazione, la produzione e la distribuzione di dati, compresi i dati relativi ai sistemi di controllo dei movimenti e ai sistemi di controllo dei movimenti.

Proprietà eccezionali del materiale:

Stabilità termica: punto di fusione ~ 2,050°C, adatto ai processi MOCVD/MBE.

Trasparenza ottica: > 85% di trasmissione (UV a infrarossi medi: 250 000 nm).

Robustezza meccanica: 9 Mohs, resistente all'usura chimica/abrasiva.

Applicazioni diWafer di zaffiro

Optoelettronica:

LED/diodi laser basati su GaN: LED blu/UV, micro-LED e laser che emettono i bordi.

Finestre laser: componenti laser ad alta potenza a CO2 ed excimer.

Potenza e elettronica RF:

HEMT (High Electron-Mobility Transistors): amplificatori di potenza 5G/6G e sistemi radar.

Filtri SAW/BAW: l'orientamento M-piano migliora le prestazioni piezoelettriche.

Industria e difesa:

Finestre IR e cupole missilistiche: elevata trasparenza in ambienti estremi.

Sensori di zaffiro: coperture resistenti alla corrosione per condizioni difficili.

Tecnologie quantistiche e di ricerca:

Substrati per qubit superconduttori (informatica quantistica).

Ottica non lineare: cristalli SPDC per studi sull'entanglement quantistico.

Semiconduttori e MEMS:

Wafer SOI (Silicon-on-Insulator) per IC avanzate.

Resonatori MEMS: stabilità ad alta frequenza con tagli M-piano.

Specificità

Domande e risposte

Q1:Perché scegliere un piano C a M 1° fuori corte per l'epitaxia del GaN?
A1:Il taglio fuori asse M migliora la mobilità degli atomi durante la crescita, riducendo i difetti e migliorando l'uniformità nei film GaN per dispositivi ad alta potenza.

Q2:Posso richiedere altre direzioni non tagliate (ad es. asse A)?
A2:Sì, sono disponibili orientamenti personalizzati (piano A, piano R o tagli misti) con tolleranza ± 0,1°.

Q3: Qual è il vantaggio del DSP per le applicazioni laser?

A3:DSP fornisce una rugosità di < 0,3 nm su entrambi i lati, riducendo le perdite di dispersione per l'ottica laser ad alta potenza.