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12 pollici C-aixs Al2O3 Sapphire Wafer DSP Diametro 304.8mm Spessore personalizzato

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6 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 150mm Spessore 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade

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Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione

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Tubo di zaffiro lunghezza 50,8 mm resistente alla pressione Dimensione personalizzata singolo cristallo Al2O3

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Substrati in carburo di silicio 4H-N di alta qualità (12 pollici/300 mm) per dispositivi ad alta potenza

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