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Wafer del fosfuro di indio

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La Cina Dispositivo elettronico ad alta potenza di tipo pin a fondo piatto Cu≥99.9% distributore
Dispositivo elettronico ad alta potenza di tipo pin a fondo piatto Cu≥99.9%

Wafer del fosfuro di indio

(34)
La Cina InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche fabbrica

InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche
Contatto

InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche InP epiwafer's Overview L'Epiwafer di fosfuro di indio (InP) è un materiale chiave utilizzato in dispositivi ... Leggi di più
2024-09-10 15:33:00
La Cina 2 pollici MgO Spessore della wafer 500um Orientazione<100> Cristallo di ossido di magnesio Cristallo personalizzato fabbrica

2 pollici MgO Spessore della wafer 500um Orientazione<100> Cristallo di ossido di magnesio Cristallo personalizzato
Contatto

Wafer MgO, Wafer ossido di magnesio, Substrato di MgO, Substrato di ossido di magnesio, , , , 1 pollice di MgO, 2 pollici di MgO, 3 pollici di MgO, Substrato monocristallino MgO Carattere dell' MgO - usoMonocri... Leggi di più
2024-08-23 14:06:08
La Cina 2&quot; InSb-Te EPI Sottostrati a banda stretta Sottostrati semiconduttori Componenti Hall fabbrica

2" InSb-Te EPI Sottostrati a banda stretta Sottostrati semiconduttori Componenti Hall
Contatto

2 InSb-Te EPI Sottostati intervallo di banda stretta Sottostati semiconduttori Componenti Hall Descrizione di InSb-Te: Antimonuro di indio (InSb), come una sorta di materiale semiconduttore composto binario del ... Leggi di più
2023-11-27 17:03:31
La Cina 3&quot; Wafer InSb non riempiti Detettore IR Photodiode Sensore di immagine termica 85 GHz fabbrica

3" Wafer InSb non riempiti Detettore IR Photodiode Sensore di immagine termica 85 GHz
Contatto

3 ̊ Wafer InSb non coperte Detettore IR Fotodiodo Sensore di immagine termica 85 GHz Descrizione: 1L' antimonuro di indio è un materiale semiconduttore a banda diretta che appartiene allo spettro infrarosso. 2L... Leggi di più
2023-11-27 09:50:55
La Cina 2&#039; 4&#039; InP Wafer Indium Fosfuro Wafer Semiconduttore Substrati 350um 650um fabbrica

2' 4' InP Wafer Indium Fosfuro Wafer Semiconduttore Substrati 350um 650um
Contatto

2' 4' InP Wafer Indium Fosfuro Wafer Semiconduttore Substrati 350um 650um Descrizione diWafer InP: I chip InP (fosfuro di indio) sono un materiale semiconduttore comunemente utilizzato per la fabbricazione di ... Leggi di più
2023-10-26 11:04:11
La Cina Wafer di fosfuro di indio InP Substrati semiconduttori Epitaxial 2&#039;&#039; 3&#039; 4&#039; spessore 350um fabbrica

Wafer di fosfuro di indio InP Substrati semiconduttori Epitaxial 2'' 3' 4' spessore 350um
Contatto

Wafer di fosfuro di indio InP Substrati semiconduttori Epitaxial 2'' 3' spessore 350um Descrizione diFosfuro di indio: I chip di fosfuro di indio (InP) sono un materiale ampiamente utilizzato in optoelettronica ... Leggi di più
2023-10-26 11:03:32
La Cina GasSb fabbrica

GasSb
Contatto

Cristalli a 2-6 pollici substrato di cristallo, wafer del fosfuro del gallio (Gap) di Gap La latta di ZMKJ fornisce il wafer di Gap del monocristallo di alta qualità (fosfuro del gallio) all'industria ... Leggi di più
2023-06-19 14:49:44
La Cina tipo wafer di 2inch 3inch 4inch 6inch N del germanio di GE con EPD basso fabbrica

tipo wafer di 2inch 3inch 4inch 6inch N del germanio di GE con EPD basso
Contatto

tipo wafer di 2inch 3inch 4inch 6inch N del germanio di GE con EPD basso Wafer di GE Il germanio è il materiale per la fabbricazione i dispositivi a semiconduttore e dei dispositivi ottici infrarossi. Svolge un ... Leggi di più
2023-06-19 14:26:34
La Cina Alto wafer di superficie rifrangente del germanio di DSP GE fabbrica

Alto wafer di superficie rifrangente del germanio di DSP GE
Contatto

il tipo tipo di 2inch 4inch 6inch N di P ha verniciato i wafer dei monocristalli del germanio, Piatti ottici dei monocristalli del germanio Finestra del wafer/GE di GE Il germanio (GE) è il materiale preferito ... Leggi di più
2023-06-08 10:46:33
La Cina Tipo wafer 2inch 3inch 4inch del tipo/N di P del germanio del substrato di GE fabbrica

Tipo wafer 2inch 3inch 4inch del tipo/N di P del germanio del substrato di GE
Contatto

wafer dei substrati di GE dei monocristalli del germanio di 4inch 6inch, lente ottica su misura di GE wafer N tipi P tipi del germanio del substrato di GE di 2inch 3inch 4inch Substrati del germanio Applicazion... Leggi di più
2022-10-28 09:33:21
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Sic substrato

L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

Wafer dello zaffiro

Orientamento su ordinazione dello speciale di Windows di vetro/zaffiro dello zaffiro del wafer a semiconduttore

Wafer di zaffiro Spessore 0,43 mm Componenti di zaffiro Dimensioni e orientamenti personalizzati

Di cristallo quadrato del wafer dello zaffiro/zaffiro 10x10mm 5x5mm per la lente ottica

2°Off C - zaffiro sintetico Epi di vetro di asse - diametro a 2 pollici 50.8mm dei substrati pronti

Wafer del nitruro di gallio

Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template indipendente per principale

Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro

wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si

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