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Opzione di substrato di carburo di silicio (SiC) per applicazioni industriali di alto livello

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Apparecchiature di legame anodico a termocompressione Legamento a pressione termica Materiale Si Cu Al-Ge 600°C 2-8 pollici

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Customized SiC Ceramic Suction Cups for Lithography Applications

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

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N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 pollici GaAs orientamento 100 111 lunghezza d'onda 940nm per Gigabit Ethernet

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TGV (Through-Glass Via) tecnologia Quarzo di vetro borosilicato di alta qualità

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Tagliatrice a filo diamantato a filo singolo per materiale SiC/Zaffiro/Quarzo/Ceramica

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SiC Horizontal Furnace Process Tube High Thermal Conductivity

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4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato spessore 350um di primaria qualità di qualità

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Substrato di carburo di silicio di 6 pollici Sic Tipo 6H-P per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade

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6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Diametro 150 mm Spessore 350 μm Zero MPD Produzione, grado di produzione standard

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Rivestimento di vetro di quarzo per finestre ottiche JGS1/JGS2 Grade Optional 8.2mm Thickness

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