Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Numero di modello: Apparecchiature per il legame anodico a termocompressione
Termini di pagamento e spedizione
Quantità di ordine minimo: 2
Prezzo: by case
Tempi di consegna: 5-10 mesi
Termini di pagamento: T/T
Metodi di legame:: |
Collegamento a pressione termica |
Dimensioni di wafer compatibili:: |
2-8inch |
Materiali compatibili:: |
Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge |
Temperatura massima:: |
600℃ |
Forza di pressione massima:: |
100 kN, precisione di controllo ≤ ± 1% |
tensione e corrente dell'anodo:: |
≤ 2kv, ≤ 100mA |
Metodi di legame:: |
Collegamento a pressione termica |
Dimensioni di wafer compatibili:: |
2-8inch |
Materiali compatibili:: |
Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge |
Temperatura massima:: |
600℃ |
Forza di pressione massima:: |
100 kN, precisione di controllo ≤ ± 1% |
tensione e corrente dell'anodo:: |
≤ 2kv, ≤ 100mA |
Apparecchiature di legame anodico a termocompressione Legamento a pressione termica Materiale Si Cu Al-Ge 600°C 2-8 pollici
Abstract of Thermo-compression Anodic Bonding Equipment
L'apparecchiatura di legame anodico a termocompressione integra la tecnologia di legame a doppio processo che combina la termocompressione e il legame anodico,con una lunghezza di 20 mm o più, ma non superiore a 20 mm.g., sistemi Si/Cu/Al-Ge) con una temperatura massima di funzionamento di 600°C. Apparecchiature di legame anodico a termocompressione mediante controllo preciso dei parametri temperatura-pressione-tensione,si ottiene una tenuta ermetica di alta resistenza tra i wafer, che lo rende adatto per applicazioni di imballaggio che richiedono resistenza e affidabilità ad alte temperature, come dispositivi MEMS e semiconduttori di potenza.Il vantaggio principale risiede nella sua capacità di legare contemporaneamente i metalli per diffusione (termicompressione) e le interfacce vetro-silicio (legame anodico).
Specificativi tecnici del sistema di legame delle wafer
Dimensione del wafer: | 4-8 pollici |
Materiali compatibili: | Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge, ecc. |
Temperatura massima: | 600°C |
Pressione massima: | 100 kN, precisione di controllo ± 1% |
Tasso di riscaldamento: | 30°C/min |
Uniformità di temperatura: | ≤ ± 2% |
tensione e corrente dell'anodo: | ≤ 2kV, ≤ 100mA |
Accuratezza dopo il legame: | ≤ 5 μm, ≤ 2 μm |
Metodo di caricamento: | Cassette |
Integrazione multi-mode: | Determinazione del bordo, attivazione, pulizia, allineamento, legame |
Atmosfera di legame: | Vaso, metanolo, gas inerte (opzionale)al) |
L'apparecchiatura di legame anodico a termocompressione supporta la lavorazione di wafer da 2 a 8 pollici con una temperatura massima di funzionamento di 600 °C, un intervallo di pressione di 5-200 kN e un livello di vuoto ≤ 5 × 10−3 Pa.Apparecchiature di legame anodico a termocompressione incorporano un sistema di controllo a circuito chiuso di alta precisione per la temperatura (± 1 °C), pressione (fluctuazione ≤±1%) e tensione (0-2000 V regolabili per il legame anodico). Compatibile con sistemi di materiali tra cui Si, Cu e Al-Ge,è specificamente progettato per applicazioni di imballaggio ermetico (tasso di fuga ≤1×10−8 Pa·m3/s) in MEMS e dispositivi di potenza.
Collegamento a pressione termica
Collegamento Au-Si:
Principio di funzionamento:
Apparecchiature per il legame anodico a termocompressione:
Performance di allineamento del legame per termocompressione (precisione < 2μm)
Applicazioni
· Imballaggio dei dispositivi MEMS: l'apparecchiatura di legame anodico a termocompressione consente l'incapsulamento ermetico per i sistemi microelettromeccanici, garantendo un'affidabilità operativa a lungo termine.
· Imballaggio dei semiconduttori di potenza: l'apparecchiatura di legame anodico a termocompressione facilita il legame interfacciale resistente alle alte temperature e termicamente conduttivo per i chip ad alta potenza.
· Imballaggio ermetico del sensore: l'apparecchiatura di legame anodico a termocompressione fornisce un'incapsulazione protettiva a prova di umidità/ossidazione per i sensori sensibili all'ambiente.
· Integrazione ottoelettronica: l'apparecchiatura di legame anodico a termocompressione consente il legame eteromateriale tra componenti ottici ed elettronici per migliorare l'efficienza di conversione fotoelettrica.
Effetto meccanicoLegame anodico vetro-silicio.
Domande e risposte
1. D: Quali sono i principali vantaggi del legame anodico a termo-compressione rispetto al legame anodico standard?
A: Combina la resistenza di legame per diffusione metallica con sigillamento ermetico in vetro-Si, consentendo l'imballaggio ibrido per dispositivi MEMS/potenza a temperature più basse (≤600°C).
2Q: Quali materiali possono essere legati utilizzando il legame anodico a termo-compressione?
R: Compatibile con leghe di Si, vetro, Cu e Al-Ge - ideale per coperchi MEMS, elettronica di potenza e confezioni optoelettroniche.
Tag: #Thermo Compression Anodic Bonding Equipment, #Thermal Pressure Bonding, #Si, #Cu, #Al-Ge Material