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Wafer d'isolamento a 4 pollici del InP del fosfuro di indio per il diodo laser di LD

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2' 4' InP Wafer Indium Fosfuro Wafer Semiconduttore Substrati 350um 650um

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Substrati a semiconduttore dei wafer del Inp dei monocristalli del germanio

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Wafer ottico del Inp di GE, wafer del fosfuro di indio del dispositivo a semiconduttore

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Wafer di fosfuro di indio InP Substrati semiconduttori Epitaxial 2'' 3' 4' spessore 350um

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Colore del nero del diametro del wafer 100mm del fosfuro di indio del InP del diodo laser

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Semi che isolano il tipo a 2 pollici wafer fittizio di 50mm N del fosfuro di indio del InP

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3,58 substrato del cristallo dell'ossido di magnesio del wafer del substrato/MgO del MgO di densità

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Il wafer del fosfuro di indio dei monocristalli del germanio ha personalizzato la lente ottica 4/a 6 pollici di GE

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N / La P scrive il wafer a macchina del germanio, diametro 0,5 ~ 150mm dei piatti dell'ottica del germanio

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InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphide Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer per sensori intelligenti

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Wafer nero del fosfuro di indio, wafer a semiconduttore per l'applicazione di LD

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