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2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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Il manichino a 4 pollici del substrato del nitruro di silicio 4H-N sic classifica sic il substrato per i dispositivi di alto potere

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4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato spessore 350um di primaria qualità di qualità

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