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Buon prezzo Optoelettronica del substrato del carburo di silicio del politipo N di tipo 6H da 2 pollici Crescita del nitruro di gallio In linea
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Su misura GaN--GaN sic sul diametro 100mm di Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch del silicio

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GaN-SU-silicio del wafer del nitruro di gallio di 300mm per potere micro LED

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wafer di GaN-su-SIC Epi di GaN-su-si di 4Inch 6INCH per l'applicazione di rf

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GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED

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4 pollici GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 pollici 8 pollici Durezza 9,0 Mohs Per Potenza RF LED

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Semiconduttore GaN Substrates del wafer del nitruro di gallio di isolato

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Wafer GaN Substrates 4inch del nitruro di gallio di isolato HVPE

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Wafer di GaN del nitruro di gallio di HVPE, isolati del chip di Gan una dimensione di 10 x 10 millimetri

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Substrato di HVPE GaN o wafer di GaN Template EPI per le applicazioni di rf

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Wafer del nitruro di gallio del wafer di GaN di efficienza di alto potere per illuminazione di ottimo rendimento

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4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato

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4'' 200nm AlScN Su Wafer di Silicio SSP DSP Substrati Epitaxiali Per Dispositivi LED

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