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Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

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Asse A Wafer zaffiro 60/40 Superficie e protezione DSP monocristallina

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Sistema di separazione laser del substrato SiC da 6 a 12 pollici Wafer per macchine personalizzate

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4H-N SiC:Lisciatura SSP/DSP di spessore personalizzato, disponibili inverter fotovoltaici e di accumulo di energia

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Strumento di orientamento delle wafer basato su XRD per la determinazione dell'angolo di taglio ad alta precisione

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Tagliatrice a filo diamantato a filo singolo per materiale SiC/Zaffiro/Quarzo/Ceramica

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High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

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Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione

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Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

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Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N

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Effettore di fine portante per la manipolazione dei wafer

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Il doppio lato ha lucidato il diametro su ordinazione ottico φ350mm di dimensione di Windows dello zaffiro

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6inch Sapphire Wafer Orientation 0001 Al2O3 singolo Crystal Optical Transparency

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