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Substrato in carburo di silicio 4H per elettronica di potenza, dispositivi RF, optoelettronica UV

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November 20, 2025
Connessione Categoria: Sic substrato
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#sic wafer #sic substrato #substrato del carburo di silicio
Riassunto: In questo video, esploriamo il substrato di carburo di silicio 4H, mostrando la sua struttura monocristallina ad alta purezza e la densità di difetti ultra-bassa. Guarda come evidenziamo le sue applicazioni nell'elettronica di potenza, nei dispositivi RF e nell'ottica UV, insieme alla sua lucidatura CMP di precisione e alle prestazioni termiche.
Caratteristiche del prodotto correlate:
  • Materiale monocristallino 4H-SiC ad alta purezza con densità di difetti ultra-bassa.
  • Lucidatura CMP di precisione per superfici pronte per epitassia con Ra ≤ 0,5 nm.
  • Eccellente conducibilità termica (490 W/m*K) e capacità ad alta temperatura (fino a 600 °C).
  • Proprietà elettriche stabili con resistività di 0,01-0,1 Ω*cm.
  • Elevata resistenza meccanica con durezza Vickers di 28-32 GPa.
  • Ideale per elettronica di potenza, dispositivi RF e optoelettronica UV.
  • Disponibile in dimensioni, spessori e livelli di drogaggio personalizzabili.
  • Adatto per ricerca e sviluppo, prototipazione e produzione su piccola scala.
FAQ:
  • Qual è il vantaggio principale del 4H-SiC rispetto al 6H-SiC?
    Il 4H-SiC offre una maggiore mobilità degli elettroni, una minore resistenza in conduzione e prestazioni superiori in dispositivi ad alta potenza e alta frequenza, rendendolo il materiale preferito per MOSFET e diodi.
  • Fornite substrati in SiC conduttivi o semi-isolanti?
    Sì, offriamo 4H-SiC conduttivo di tipo N per l'elettronica di potenza e 4H-SiC semi-isolante per applicazioni RF, microonde e rilevatori UV, con livelli di drogaggio personalizzabili.
  • Il substrato può essere utilizzato direttamente per l'epitassia?
    Sì, i nostri substrati epi-ready 4H-SiC presentano superfici Si-face lucidate CMP con bassa densità di difetti, adatte per la crescita epitassiale MOCVD, CVD e HVPE di strati di GaN, AlN e SiC.
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