Riassunto: Scopri il 4H-SEMI Silicon Carbide SiC Substrate, un wafer ad alte prestazioni ideale per elettronica di potenza, elettronica automobilistica e dispositivi RF.Disponibile in diametro di 2 pollici con opzioni di spessore di 350um o 500um, questo substrato di qualità prima o secondaria offre una durezza e affidabilità eccezionali per applicazioni esigenti.
Caratteristiche del prodotto correlate:
Realizzato in monocristallo SIC per una qualità e prestazioni superiori.
Supporta design personalizzati con requisiti artistici specifici.
Alta durezza di circa 9,2 Mohs per la durata.
Ampiamente utilizzato in settori high-tech come l'elettronica di potenza e automobilistica.
Disponibile sia in grado primario che in grado fittizio per soddisfare varie esigenze.
Polish a doppio lato con Si Face CMP per una finitura superficiale liscia.
Densità di micropipe fino a ≤5 micropipe/cm2 per applicazioni di alta qualità.
Specifiche personalizzabili per soddisfare i requisiti unici del progetto.
FAQ:
Come fa 4H-SiC Semi ad assicurare la qualità dei suoi wafer?
Il semiconduttore 4H-SiC utilizza tecniche di produzione avanzate, tra cui la deposizione chimica da vapore (CVD) e il trasporto fisico da vapore (PVT), e segue rigorosi processi di controllo qualità per garantire wafer di alta qualità.
Qual è la differenza principale tra 4H-N SiC e 4H-SEMI SiC?
La differenza principale è che il 4H-N SiC (drogato con azoto) è carburo di silicio semiconduttore di tipo n, mentre il 4H-Semi SiC è carburo di silicio semi-isolante, che è stato processato per avere una resistività molto alta.
È possibile personalizzare il substrato 4H-SEMI SiC?
Sì, il substrato 4H-SEMI SiC supporta progetti personalizzati con grafica e specifiche specifiche per soddisfare i requisiti unici del progetto.