Scopri il 4H-SEMI Silicon Carbide SiC Substrate, un wafer ad alte prestazioni ideale per elettronica di potenza, elettronica automobilistica e dispositivi RF.Disponibile in diametro di 2 pollici con opzioni di spessore di 350um o 500um, questo substrato di qualità prima o secondaria offre una durezza e affidabilità eccezionali per applicazioni esigenti.