2 pollici 4H-SEMI SiC

Substrato SiC
August 05, 2024
Connessione Categoria: Sic substrato
2 pollici 4H-SEMI SiC
Riassunto: Scopri il 4H-SEMI Silicon Carbide SiC Substrate, un wafer ad alte prestazioni ideale per elettronica di potenza, elettronica automobilistica e dispositivi RF.Disponibile in diametro di 2 pollici con opzioni di spessore di 350um o 500um, questo substrato di qualità prima o secondaria offre una durezza e affidabilità eccezionali per applicazioni esigenti.
Caratteristiche del prodotto correlate:
  • Realizzato in monocristallo SIC per una qualità e prestazioni superiori.
  • Supporta design personalizzati con requisiti artistici specifici.
  • Alta durezza di circa 9,2 Mohs per la durata.
  • Ampiamente utilizzato in settori high-tech come l'elettronica di potenza e automobilistica.
  • Disponibile sia in grado primario che in grado fittizio per soddisfare varie esigenze.
  • Polish a doppio lato con Si Face CMP per una finitura superficiale liscia.
  • Densità di micropipe fino a ≤5 micropipe/cm2 per applicazioni di alta qualità.
  • Specifiche personalizzabili per soddisfare i requisiti unici del progetto.
FAQ:
  • Come fa 4H-SiC Semi ad assicurare la qualità dei suoi wafer?
    Il semiconduttore 4H-SiC utilizza tecniche di produzione avanzate, tra cui la deposizione chimica da vapore (CVD) e il trasporto fisico da vapore (PVT), e segue rigorosi processi di controllo qualità per garantire wafer di alta qualità.
  • Qual è la differenza principale tra 4H-N SiC e 4H-SEMI SiC?
    La differenza principale è che il 4H-N SiC (drogato con azoto) è carburo di silicio semiconduttore di tipo n, mentre il 4H-Semi SiC è carburo di silicio semi-isolante, che è stato processato per avere una resistività molto alta.
  • È possibile personalizzare il substrato 4H-SEMI SiC?
    Sì, il substrato 4H-SEMI SiC supporta progetti personalizzati con grafica e specifiche specifiche per soddisfare i requisiti unici del progetto.