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Substrato in carburo di silicio drogato N-type Polytype 4H da 300 mm di diametro Premium per dispositivi ad alta potenza

Marchio:	ZMSH
MOQ:	50
Tempo di consegna:	2-4 SETTIMANE
Condizioni di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shangai, Cina

Politipo:

Tipo di doping:

Tipo N

Diametro:

300 ± 0,5mm

Spessore:

Verde: 600 ± 100 μm / Trasparente: 700 ± 100 μm

Orientamento di superficie:

4° verso <11-20> ± 0,5°

Piano primario:

Tacca / Giro completo

Profondità della tacca:

1 – 1,5 mm

Variazione totale dello spessore (TTV):

≤ 10 μm

Densità del microtubo (MPD):

≤ 5 pz/cm²

Evidenziare:

Substrato SiC da 300 mm di diametro

Substrato in carburo di silicio politipo 4H

Wafer SiC da 12 pollici drogato di tipo N

Descrizione di prodotto

Soluzioni di substrati in carburo di silicio (SiC) da 12 pollici (300 mm) Premium

Substrati in carburo di silicio 4H-N di alta qualità (12 pollici/300 mm) per dispositivi ad alta potenza

Introduzione completa al prodotto

Il substrato in carburo di silicio (SiC) da 12 pollici (300 mm) rappresenta l'attuale frontiera nella tecnologia dei semiconduttori a banda larga (WBG). Mentre l'industria globale si sta spostando verso una maggiore efficienza e una maggiore densità di potenza, questa piattaforma cristallina di grande diametro fornisce la base essenziale per l'elettronica di potenza e i sistemi RF di nuova generazione.

Vantaggi strategici chiave

Produzione di massa: Rispetto ai wafer convenzionali da 150 mm (6 pollici) e 200 mm (8 pollici), il formato da 300 mm offre rispettivamente più di 2,2x e 1,5x l'area di superficie utilizzabile.
Ottimizzazione dei costi: Riduce drasticamente il "costo per chip" massimizzando il numero di chip prodotti per singolo ciclo di produzione.
Compatibilità avanzata: Pienamente compatibile con le moderne linee di fabbricazione di semiconduttori (Fabs) da 300 mm completamente automatizzate, migliorando l'efficienza operativa complessiva.

Offerte di grado del prodotto

Grado di produzione 4H SiC di tipo N: Progettato per la fabbricazione di dispositivi di potenza di grado commerciale ad alto rendimento.
Grado fittizio 4H SiC di tipo N: Una soluzione conveniente per test meccanici, calibrazione delle apparecchiature e validazione dei processi termici.
Grado di produzione 4H SiC semi-isolante (SI): Progettato specificamente per applicazioni RF, radar e microonde che richiedono un'estrema resistività.

Caratteristiche dei materiali approfondite

Carburo di silicio 4H-N (tipo conduttivo)

Il politipo 4H-N è una struttura cristallina esagonale drogata con azoto, nota per le sue robuste proprietà fisiche. Con un'ampia banda proibita di circa 3,26 eV, fornisce:

Elevato campo elettrico di rottura: Consente la progettazione di dispositivi ad alta tensione più sottili ed efficienti.
Conducibilità termica superiore: Consente ai moduli ad alta potenza di funzionare con sistemi di raffreddamento semplificati.
Estrema stabilità termica: Mantiene parametri elettrici stabili anche in ambienti difficili che superano i 200°C.
Bassa resistenza di accensione: Ottimizzato per strutture di potenza verticali come MOSFET SiC e SBD.

Carburo di silicio 4H-SI (tipo semi-isolante)

I nostri substrati SI sono caratterizzati da una resistività eccezionalmente elevata e da difetti cristallini minimi. Questi substrati sono la piattaforma preferita per i dispositivi RF GaN-on-SiC, fornendo:

Eccellente isolamento elettrico: Elimina la conduzione parassita del substrato.
Integrità del segnale: Ideale per applicazioni a microonde ad alta frequenza in cui la bassa perdita di segnale è fondamentale.

Processo avanzato di crescita e fabbricazione dei cristalli

Il nostro processo di produzione è integrato verticalmente per garantire il controllo totale della qualità dalla materia prima al wafer finito.

Crescita per sublimazione (metodo PVT): I cristalli da 12 pollici vengono coltivati utilizzando il metodo di trasporto fisico del vapore (PVT). La polvere di SiC ad alta purezza viene sublimata a temperature superiori a 2000°C sotto un vuoto e un gradiente termico controllati con precisione, ricristallizzando su un cristallo seme di alta qualità.
Taglio di precisione e profilatura dei bordi: Dopo la crescita, gli lingotti di cristallo vengono tagliati in wafer utilizzando un'avanzata segatura diamantata a filo multiplo. La lavorazione dei bordi prevede la smussatura di precisione per evitare scheggiature e migliorare la robustezza meccanica durante la manipolazione.
Ingegneria superficiale (CMP): A seconda dell'applicazione, utilizziamo la lucidatura chimico-meccanica (CMP) sulla faccia Si. Questo processo raggiunge una superficie "Epi-Ready" con levigatezza su scala atomica, rimuovendo tutti i danni al di sotto della superficie per facilitare la crescita epitassiale di alta qualità.

Specifiche tecniche e matrice di tolleranza

Articolo	Produzione di tipo N	Fittizio di tipo N	Produzione di tipo SI
Politipo	4H	4H	4H
Tipo di drogaggio	Azoto (tipo N)	Azoto (tipo N)	Semi-isolante
Diametro	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm
Spessore (Verde/Trans)	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm
Orientamento superficiale	4,0° verso <11-20>	4,0° verso <11-20>	4,0° verso <11-20>
Precisione dell'orientamento	± 0,5°	± 0,5°	± 0,5°
Lato piatto primario	Intaglio / Giro completo	Intaglio / Giro completo	Intaglio / Giro completo
Profondità dell'intaglio	1,0 - 1,5 mm	1,0 - 1,5 mm	1,0 - 1,5 mm
Planarità (TTV)	≤ 10 μm	N/A	≤ 10 μm
Densità micropipe (MPD)	≤ 5 ea/cm²	N/A	≤ 5 ea/cm²
Finitura superficiale	Epi-ready (CMP)	Rettifica di precisione	Epi-ready (CMP)
Lavorazione dei bordi	Smusso arrotondato	Nessuno smusso	Smusso arrotondato
Ispezione delle crepe	Nessuno (esclusione di 3 mm)	Nessuno (esclusione di 3 mm)	Nessuno (esclusione di 3 mm)

Substrato in carburo di silicio drogato N-type Polytype 4H da 300 mm di diametro Premium per dispositivi ad alta potenza 1

Controllo qualità e metrologia

Utilizziamo un protocollo di ispezione in più fasi per garantire prestazioni costanti nella tua linea di produzione:

Metrologia ottica: Misurazione automatizzata della geometria della superficie per TTV, bow e warp.
Valutazione cristallina: Ispezione a luce polarizzata per inclusioni di politipi e analisi dello stress.
Scansione dei difetti superficiali: Luce ad alta intensità e scattering laser per rilevare graffi, vaiolature e scheggiature dei bordi.
Caratterizzazione elettrica: Mappatura della resistività senza contatto attraverso le zone centrali da 8 pollici e da 12 pollici complete.

Applicazioni leader del settore

Veicoli elettrici (EV): Fondamentale per inverter di trazione, pile di ricarica rapida a 800 V e caricabatterie di bordo (OBC).
Energia rinnovabile: Inverter fotovoltaici ad alta efficienza, convertitori di energia eolica e sistemi di accumulo di energia (ESS).
Smart Grid: Trasmissione in corrente continua ad alta tensione (HVDC) e azionamenti per motori industriali.
Telecomunicazioni: Stazioni macro 5G/6G, amplificatori di potenza RF e collegamenti satellitari.
Aerospaziale e difesa: Alimentatori ad alta affidabilità per ambienti aerospaziali estremi.

Domande frequenti (FAQ)

Q1: In che modo il substrato SiC da 12 pollici migliora il mio ROI?

A: Fornendo un'area di superficie molto più ampia, è possibile fabbricare un numero significativamente maggiore di chip per wafer. Ciò riduce i costi fissi di elaborazione e manodopera per chip, rendendo i tuoi prodotti a semiconduttore finali più competitivi sul mercato.

Q2: Qual è il vantaggio dell'orientamento fuori asse di 4 gradi?

A: L'orientamento di 4° verso il <11-20> piano è ottimizzato per la crescita epitassiale di alta qualità, contribuendo a prevenire la formazione di politipi indesiderati e riducendo le dislocazioni del piano basale (BPD).

Q3: È possibile fornire una marcatura laser personalizzata per la tracciabilità?

A: Sì. Offriamo la marcatura laser personalizzata sul lato C (faccia del carbonio) in base agli standard SEMI o ai requisiti specifici del cliente per garantire la completa tracciabilità del lotto.

Q4: Il grado fittizio è adatto per la ricottura ad alta temperatura?

A: Sì, il grado fittizio di tipo N condivide le stesse proprietà termiche del grado di produzione, rendendolo perfetto per testare cicli termici, calibrazione del forno e sistemi di movimentazione.

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