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sicのウエファー

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comprare Il forno per la coltivazione di ingotti SiC utilizza PVT, Lely TSSG e metodi LPE per coltivare cristalli di grandi dimensioni di 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici in linea Produttore

Il forno per la coltivazione di ingotti SiC utilizza PVT, Lely TSSG e metodi LPE per coltivare cristalli di grandi dimensioni di 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici
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2025-02-21 16:42:38
comprare L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic in linea Produttore

L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic
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2023-05-11 14:23:27
comprare 4" 4H-Semi-Sic Wafer di alta purezza SIC Sottostrati EPI semiconduttori di primaria qualità in linea Produttore

4" 4H-Semi-Sic Wafer di alta purezza SIC Sottostrati EPI semiconduttori di primaria qualità
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2023-11-27 09:47:06
comprare CVD SiC Epitaxy Wafer 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore epitaxy 2,5-120 um per energia elettronica in linea Produttore

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore epitaxy 2,5-120 um per energia elettronica
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2024-05-07 18:17:32
comprare 4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade in linea Produttore

4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade
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2025-04-29 14:01:02
comprare 4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato spessore 350um di primaria qualità di qualità in linea Produttore

4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato spessore 350um di primaria qualità di qualità
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2024-08-27 09:58:42
comprare 6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici in linea Produttore

6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici
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2024-09-24 17:30:38
comprare 2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto in linea Produttore

2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto
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2025-02-21 16:42:38
comprare Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza in linea Produttore

Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza
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2025-07-31 09:09:08
comprare Del grado 6inch di silicio del carburo substrati principali FITTIZI di spessore del wafer 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi sic in linea Produttore

Del grado 6inch di silicio del carburo substrati principali FITTIZI di spessore del wafer 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi sic
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2020-07-17 15:01:02
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Sic substrato

L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

Wafer dello zaffiro

Orientamento su ordinazione dello speciale di Windows di vetro/zaffiro dello zaffiro del wafer a semiconduttore

Wafer di zaffiro Spessore 0,43 mm Componenti di zaffiro Dimensioni e orientamenti personalizzati

Di cristallo quadrato del wafer dello zaffiro/zaffiro 10x10mm 5x5mm per la lente ottica

2°Off C - zaffiro sintetico Epi di vetro di asse - diametro a 2 pollici 50.8mm dei substrati pronti

Wafer del nitruro di gallio

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