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Chip SiC a carburo di silicio per elettronica avanzata

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December 09, 2025
Connessione Categoria: Sic substrato
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#sic wafer #sic substrato #substrato del carburo di silicio
Riassunto: Questo video dimostra il processo di produzione dei chip SiC a carburo di silicio.dalla crescita cristallina attraverso la PVT alla lucidatura finaleVedrai come questi substrati avanzati di semiconduttori vengono prodotti per elettronica ad alta potenza, dispositivi RF e applicazioni optoelettroniche.
Caratteristiche del prodotto correlate:
  • Disponibili nei politipi 4H-SiC e 6H-SiC per elettronica di potenza ad alta tensione e applicazioni RF.
  • Presenta un ampio gap di banda di 3,2-3,3 eV per alta tensione di rottura ed efficienza.
  • L'eccellente conduttività termica (3,0-4,9 W/cm*K) garantisce una dissipazione del calore superiore.
  • Elevata resistenza meccanica con durezza Mohs di ~9,2 per una maggiore durata in ambienti difficili.
  • Dimensioni e spessore personalizzabili (330-500 μm) per soddisfare esigenze applicative specifiche.
  • Disponibili con opzioni di drogaggio di tipo N o di tipo P per prestazioni elettriche su misura.
  • Finitura superficiale lucida su uno o due lati, comprese le opzioni Epi-Ready.
  • Ideale per elettronica di potenza, dispositivi RF, optoelettronica e applicazioni aerospaziali.
FAQ:
  • Perché scegliere i substrati SiC rispetto al silicio tradizionale?
    Il SiC offre prestazioni termiche superiori, maggiore resistenza alla rottura e perdite di commutazione significativamente inferiori rispetto al silicio, rendendolo ideale per applicazioni ad alta efficienza e alta potenza.
  • Questi substrati possono essere dotati di strati epitassiali?
    Sì, offriamo opzioni epi-ready e di epitassia personalizzate per applicazioni di dispositivi optoelettronici, RF o ad alta potenza.
  • Potete personalizzare le dimensioni e il doping?
    Assolutamente. Sono disponibili dimensioni personalizzate, profili di drogaggio e trattamenti superficiali per soddisfare esigenze applicative specifiche.
  • Come si comportano i substrati SiC in condizioni estreme?
    I substrati SiC mantengono l'integrità strutturale e la stabilità elettrica a temperature superiori a 600°C, rendendoli adatti ad ambienti difficili come quelli aerospaziali, della difesa e per applicazioni industriali ad alta potenza.
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