Questo sistema è un'attrezzatura di legame di fascia alta specificamente progettata per la produzione di dispositivi di alimentazione a carburo di silicio (SiC), supportando specifiche di wafer da 2 a 12 pollici.Il sistema incorpora tecnologie avanzate di attacco diretto a temperatura ambiente e di attacco a superficie, con speciale ottimizzazione per i processi di legame eterogenei SiC-SiC e SiC-Si.